你知道每年中國進口的商品當(dāng)中，哪一項是花錢最多的嗎？糧食？原油？機械設(shè)備？都不是！中國在一種體積很小的產(chǎn)品上花掉的錢遠遠超過那些大宗商品，這種產(chǎn)品就是——芯片。僅2016年1月份到10月份，中國在進口芯片上一共花費了1.2萬億人民幣，是花費在原油進口上的兩倍。2017年中國芯片市場規(guī)模達到千億美元，占全球芯片市場50%以上。

其中存儲芯片市場規(guī)模達到2465.5億元，占國內(nèi)市場比重23.7%，其比重超過CPU、手機基帶芯片。而中國存儲芯片產(chǎn)業(yè)基本空白，幾乎100%依賴進口。

國產(chǎn)化閃存顆粒，已刻不容緩。在中國固態(tài)硬盤市場，因閃存顆粒不足問題所導(dǎo)致的問題更為嚴(yán)重：廉價、非原廠品牌的SSD銷量開始逐步上升，而原廠顆粒受影響銷量下滑。

過去三年是固態(tài)硬盤發(fā)展的黃金時期，國產(chǎn)SSD品牌因為技術(shù)壁壘、品牌熟知度等問題無法和一線品牌抗衡。但今天各大Flash原廠由于發(fā)力3D Flash技術(shù)，導(dǎo)致閃存顆粒嚴(yán)重缺貨，價格自然也水漲船高，所以消費者受價格因素影響不得不選擇此類不良固態(tài)硬盤。

現(xiàn)今3D Flash產(chǎn)能仍然嚴(yán)峻，良品率低因此產(chǎn)生的原料非常多。這些原料對于一線品牌是廢品，但到了不良廠商手中卻成了“寶藏”。

現(xiàn)在，中國這樣的SSD品牌高達上百個，亂象叢生。Flash價格不停上漲，消費者更容易選擇廉價產(chǎn)品也在情理之中。但不得不指出的是，消費者在購買廉價SSD的同時，并不清楚這里面的“貓膩”——廉價SSD現(xiàn)在很多采用了黑片，也就是Downgrade顆粒，此外還有拆機片。

一些自稱國貨精品的品牌也在大肆出售劣質(zhì)顆粒的SSD，且試圖掩蓋真相，不讓消費者知情。同時，再引導(dǎo)不明真相的網(wǎng)站平臺廣泛傳播渠道的銷售狀況，將短期的銷量提升粉飾成產(chǎn)品與品牌的成功，借此誘導(dǎo)更多人上當(dāng)受騙。

沒有自主產(chǎn)權(quán)，僅靠貼片、造假，這樣的國產(chǎn)SSD品牌能走多遠？我們不得而知。但有一點可以確定，廉價、劣質(zhì)的國產(chǎn)SSD進一步的降低了消費者對“國產(chǎn)SSD”的信任，這是一種竭澤而漁的商業(yè)模式。

閃存市場現(xiàn)狀：沒國產(chǎn)啥事

上文提到，現(xiàn)在各大閃存芯片廠商正在加緊量產(chǎn)3D NAND，這也是全球閃存芯片廠商必爭的制高點。美光、東芝/西部數(shù)據(jù)（WD SanDisk）、SK海力士，甚至英特爾也加入到3D NAND。但大部分原廠在2D NAND到3D NAND的切換階段都經(jīng)歷了產(chǎn)能和成本的陣痛期，三星最早投入3D NAND，到2016年底生產(chǎn)比重才突破35%，東芝、美光、SK海力士幾家占比更是不到10%，從而導(dǎo)致3D NAND上市延后。

2016年是閃存芯片轉(zhuǎn)型的一年，三星西安廠/Fab 17/Fab 18、東芝Fab 2、美光F10x、SK海力士M14都將在2017年全面進入3D NAND量產(chǎn)階段，原廠3D NAND產(chǎn)能競賽正在有序開展。

2017年Flash原廠3D NAND技術(shù)規(guī)劃：

三星：64層V-NAND產(chǎn)品，三星已經(jīng)開始了樣品的測試和小規(guī)模試產(chǎn)，預(yù)計在2017年Q1開始放大試產(chǎn)規(guī)模，預(yù)計V-NAND產(chǎn)能的占比在2017年Q1將達到45%。

東芝/西部數(shù)據(jù)(WD SanDisk)：2016下半年宣布3D技術(shù)向64層提升，年底已小量生產(chǎn)。2017年會把生產(chǎn)主力切換到64層3D NAND量產(chǎn)。

SK海力士：2017年計劃提升至72層3D NAND量產(chǎn)，將在Q1推出樣品，Q2開始小批量生產(chǎn)。

美光：64層3D NAND已于2016年12月送樣，2017年將逐步進入量產(chǎn)階段。

閃存市場需求有多大？

雖然PC持續(xù)萎靡多年，但SSD和智能手機的閃存芯片需求的強勢增長已經(jīng)彌補了其他硬件市場需求冷淡的情況。今年智能手機的容量進一步增大，即將發(fā)布的iPhone 8在256GB的帶動下，將消耗大量閃存芯片，預(yù)計42%的閃存芯片產(chǎn)能將用于智能手機，但我國生產(chǎn)的手機閃存芯片依舊100%依賴進口。

在SSD消費類市場和企業(yè)級市場，閃存芯片需求量也在逐步擴大，預(yù)計2017年SSD存儲密度將進一步持續(xù)增加至690億GB當(dāng)量，較2016年增長57%，有機會取代嵌入式產(chǎn)品成為NAND Flash最大的應(yīng)用市場，也是Flash原廠和主要模組廠商、OEM廠商等必爭之地，市場競爭也將再次升級。

伴隨著Flash原廠擴大3D NAND量產(chǎn)規(guī)模，大數(shù)據(jù)和核心應(yīng)用繼續(xù)快速增長，相信2017年是存儲產(chǎn)業(yè)整體快速增長的一年。

3中國閃存芯片布局

中國閃存芯片布局

我們先看一下中國有哪些正在崛起的存儲供應(yīng)商。在IC Insights副總裁Brian Matas早期的報告中我們看到，現(xiàn)在中國存儲領(lǐng)域有三個主要的競爭者，分別是：

2016年7月，紫光集團收購了武漢新芯，并建立了一個叫長江存儲的合資公司。這個12寸晶圓廠將聚焦在3D NAND Flash的生產(chǎn)，至于具體的量產(chǎn)時間，還沒有披露。

合肥SKT項目，預(yù)估在2017年底建造一個DRMA FAB。

福建晉華項目，準(zhǔn)備打造DRAM Fab，預(yù)估在2018年第三季度量產(chǎn)。

在以上三個項目中，合肥的SKT項目已經(jīng)停止運營了。這個由爾必達前CEO Yukio Sakamoto建立的公司，曾經(jīng)嘗試從日本、臺灣和韓國招募1000個存儲相關(guān)的工程師，以彌補中國在有經(jīng)驗的存儲開發(fā)工程師的不足，Sakamoto更是想從日本尋找180個能夠遷到中國來工作的工程師，但這個提議遭到了合肥當(dāng)?shù)卣姆磳Α?/p>

盡管SKT的承諾超過了半導(dǎo)體行業(yè)的正?，F(xiàn)象，但這也給了中國半導(dǎo)體人一些新的方向。一個能夠籠絡(luò)工程師去保持他們Fab繼續(xù)運行的方法。

而在設(shè)備方面，長江存儲方面表示，他們現(xiàn)在用的半導(dǎo)體設(shè)備和三星在西安工廠所使用的是一樣的(三星的西安工廠只制造32層的NAND Flash，64層的NAND Flash是在韓國本土制造)。

不過雖然長江存儲能買到同樣的設(shè)備，但他們?nèi)鄙儆薪?jīng)驗的人去操作這些設(shè)備。筆者認(rèn)為，對于長江存儲來說，首先要做的事就是從三星西安這些公司挖角晶圓廠操作工人。之后可以從三星和SK海力士挖一些高級的工程師。再看能夠從美光和東芝獲取一些相關(guān)的技術(shù)信息。這是紫光解決問題的方法之一。

上個世紀(jì)90年代，三星花費重金從日本招聘DRAM工程師。當(dāng)時那些工程師可以保留白天的工作，而可以在晚上或者周末為三星服務(wù)。通過這些兼職工作，工程師們能獲得高額的報酬。就是通過這種方式，三星逐漸發(fā)展其了其DRAM產(chǎn)業(yè)。

而二十多年后的今日，韓國受到了當(dāng)初日本的對待。雖然中國并沒有韓國當(dāng)初那么瘋狂，但沒有什么方法可以組織長江存儲招聘來自西安三星的工程師。

中國瘋狂建廠存在的風(fēng)險

從現(xiàn)在的種種跡象表明，3D NAND產(chǎn)能不足的問題將于2018年緩解。而長江存儲近2年瘋狂的半導(dǎo)體建設(shè)或許會引發(fā)一個新的風(fēng)險，那就是產(chǎn)能過剩。去年，IC Insights的Matas寫到，現(xiàn)在在追逐3D NAND Flash的產(chǎn)能的公司有三星、SK海力士、美光、英特爾、東芝/閃迪和長江存儲。還有一些可能加入戰(zhàn)局的中國制造商。

雖然業(yè)界認(rèn)為未來五年工業(yè)界會發(fā)生很重要的轉(zhuǎn)變，并會帶來很強大的存儲需求，但如果中國的存儲布局能夠順利進行，那么最后必將會面對產(chǎn)能過剩的風(fēng)險。有人指出，對于中國的這些投資我們應(yīng)該抱有一種什么樣的態(tài)度，究竟是應(yīng)該感謝他們致力于打破三星的壟斷，給我們帶來更多的選擇，還是該批判他們這種行為？

一位專家海指出，中國想通過存儲切入半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈，這或許是一個錯誤的選擇。因為存儲上面投資的金額實在太大了。每一代技術(shù)的投資成本都數(shù)十億美元。這對中國來說是一個很大的冒險。

投資無數(shù)的錢在一個未知結(jié)果的領(lǐng)域，面臨的壓力是可想而知的。最后回到標(biāo)題，國產(chǎn)閃存芯片之路有多遠？根據(jù)紫光集團布局和建廠進度，2018年我國將量產(chǎn)3D NAND閃存，大家請耐心等待。