根據(jù)中國媒體的報(bào)導(dǎo)，臺(tái)積電南京有限公司總經(jīng)理羅鎮(zhèn)球日前在 ICMC 2017 上表示，臺(tái)積電 7 納米制程預(yù)計(jì) 2017 年下半將為客戶 tape－out 生產(chǎn)。此外，他還透露，現(xiàn)階段 EUV 最新曝光機(jī)臺(tái)在臺(tái)積電已經(jīng)可以達(dá)到連續(xù) 3 天，穩(wěn)定處理超過 1,500 片 12 寸晶圓的狀態(tài)。根據(jù)時(shí)程，臺(tái)積電南京廠預(yù)計(jì) 2017 下半年就要安裝生產(chǎn)機(jī)臺(tái)，2018 上半年試產(chǎn)，2018 下半年正式投入量產(chǎn)。

報(bào)導(dǎo)中指出，羅鎮(zhèn)球指出，臺(tái)積電作為全球最大晶圓代工廠，將會(huì)持續(xù)推進(jìn)摩爾定律。目前臺(tái)積電 10 納米制程已順利量產(chǎn)，2017 年下半年 7 納米制程也將正式 tape－out。而臺(tái)積電所采用 ASML 最新 EUV 的型號(hào)為 NXE3350 的曝光機(jī)臺(tái)，光源已經(jīng)可以提高到 125 瓦，同時(shí)已達(dá)到連續(xù) 3 天處理 1,500 片 12 寸晶圓的水準(zhǔn)。

羅鎮(zhèn)球還指出，未來智能芯片將會(huì)滲透到個(gè)人、工業(yè)、零售、智慧城市領(lǐng)域，摩爾定律也將持續(xù)推動(dòng)芯片走向低功耗、高性能、小面積。而事實(shí)上，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)未來的挑戰(zhàn)不僅只有制程微縮而已，其他的挑戰(zhàn)還包括 EUV、整個(gè)電晶體的架構(gòu)從 2D 轉(zhuǎn)變成 3D，以及整個(gè)環(huán)繞式 ALL Around Gate、Narrow－wide Device 等等。

羅鎮(zhèn)球舉例，臺(tái)積電目前在 3D 芯片領(lǐng)域開展了多條創(chuàng)新技術(shù)，包括 IC 系統(tǒng)整合 CoWos，將不同晶圓切割好再堆疊，單位體積上達(dá)到更高密度電晶體；目前此技術(shù)已在 GPU 芯片實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。這些都是臺(tái)積電在運(yùn)用普及計(jì)算中的技術(shù)創(chuàng)新。

目前位于南京浦口的工廠是臺(tái)積電在中國大陸地區(qū)的第一座 12 寸晶圓廠。羅鎮(zhèn)球透露，臺(tái)積電南京廠預(yù)計(jì) 2017 下半年就要安裝生產(chǎn)機(jī)臺(tái)，并且于 2018 上半年試產(chǎn)， 2018 下半年正式投入量產(chǎn)。