三星集團(tuán)日前宣布將投資8.5萬(wàn)億韓元(69.8億美元)擴(kuò)充現(xiàn)有10nm工藝產(chǎn)能，并為明年的7nm準(zhǔn)備基礎(chǔ)建設(shè)。其中2.5萬(wàn)億韓元將投向位于Hwasung-si的17 Line工廠(chǎng)，預(yù)計(jì)今年二季度早些時(shí)候?qū)㈩~外增加1.8萬(wàn)片晶圓/月的10nm產(chǎn)能——現(xiàn)在10nm的產(chǎn)能是2.5萬(wàn)片晶圓/月。

去年10月三星已宣布量產(chǎn)新一代10nm LPE工藝了，使用該工藝的處理器包括高通的驍龍835以及三星自家的Exynos 8895，但是10nm工藝的產(chǎn)能、良率目前依然存在問(wèn)題，導(dǎo)致其使用驍龍835處理器的旗艦機(jī)或延期上市。本次投資被視為三星為解決這一問(wèn)題而加大投資，擴(kuò)充產(chǎn)能。

目前三星生產(chǎn)移動(dòng)處理器最先進(jìn)的工藝是14nm FinFET，下一代則是10nm FinFET，也有LPE低功耗及LPP高性能之分，不過(guò)LPP工藝要等到今年下半年才會(huì)量產(chǎn)，首先量產(chǎn)的是10nm LPE工藝。根據(jù)三星所說(shuō)，新工藝下的SoC性能可以提升27%，功耗將降低40%。

FinFET稱(chēng)為鰭式場(chǎng)效晶體管(FinField-EffectTransistor;FinFET)是一種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體(CMOS)晶體管。閘長(zhǎng)已可小于25nm。未來(lái)預(yù)期可以進(jìn)一步縮小至9nm，約是人類(lèi)頭發(fā)寬度的萬(wàn)分之一。由于在這種導(dǎo)體技術(shù)上的突破，未來(lái)芯片設(shè)計(jì)人員可望能夠?qū)⒊?jí)計(jì)算機(jī)設(shè)計(jì)成只有指甲般大小。

最早使用10nm工藝的處理器是高通驍龍835，這款處理器也將是2017年各大手機(jī)廠(chǎng)商新旗艦必備的硬件配置，但是因?yàn)?0nm工藝的產(chǎn)能、良率問(wèn)題困擾，驍龍835以及三星自家的Exynos 8895量產(chǎn)時(shí)間都比前代芯片晚一些。2月的MWC展會(huì)上，LG發(fā)布的G6手機(jī)就只能使用驍龍821處理器，等不及驍龍835了，索尼雖然搶先首發(fā)了驍龍835手機(jī)Xperia XZP，不過(guò)上市時(shí)間還沒(méi)確定。