韓國《東亞日報》3月8日報道稱，三星電子今年在半導(dǎo)體領(lǐng)域設(shè)施上的投資額將比去年增長11%，達到125億美元的規(guī)模。去年的設(shè)施投資額為113億美元。
存儲器半導(dǎo)體和系統(tǒng)LSI的投資比重為8：2左右。三星電子正在京畿道平澤市興建世界最大規(guī)模的半導(dǎo)體生產(chǎn)線。一旦工廠竣工，將從今年中期開始存儲器半導(dǎo)體V nand flash的量產(chǎn)。
電子業(yè)界認為，三星針對半導(dǎo)體市場看好的預(yù)測，擴大了投資的規(guī)模。隨著物聯(lián)網(wǎng)市場的擴大和高級數(shù)碼機器的上市，存儲器半導(dǎo)體的需求將大幅增加。
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