2017年三星電子半導(dǎo)體投資規(guī)模比去年增長11%

責任編輯:editor007

2017-03-08 18:20:50

摘自:環(huán)球科技

韓國《東亞日報》3月8日報道稱,三星電子今年在半導(dǎo)體領(lǐng)域設(shè)施上的投資額將比去年增長11%,達到125億美元的規(guī)模。電子業(yè)界認為,三星針對半導(dǎo)體市場看好的預(yù)測,擴大了投資的規(guī)模。

韓國《東亞日報》3月8日報道稱,三星電子今年在半導(dǎo)體領(lǐng)域設(shè)施上的投資額將比去年增長11%,達到125億美元的規(guī)模。去年的設(shè)施投資額為113億美元。

存儲器半導(dǎo)體和系統(tǒng)LSI的投資比重為8:2左右。三星電子正在京畿道平澤市興建世界最大規(guī)模的半導(dǎo)體生產(chǎn)線。一旦工廠竣工,將從今年中期開始存儲器半導(dǎo)體V nand flash的量產(chǎn)。

電子業(yè)界認為,三星針對半導(dǎo)體市場看好的預(yù)測,擴大了投資的規(guī)模。隨著物聯(lián)網(wǎng)市場的擴大和高級數(shù)碼機器的上市,存儲器半導(dǎo)體的需求將大幅增加。

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