Intel宣布投資70億美元升級(jí)Fab 42工廠,3-4年后準(zhǔn)備生產(chǎn)7nm工藝,拉開了下下代半導(dǎo)體工藝競(jìng)爭(zhēng)的帷幕。三星、TSMC日前也在ISSCC會(huì)議上公布了自家的7nm工藝進(jìn)展,TSMC展示了7nm HKMG FinFET工藝的256Mb SRAM芯片,核心面只有16nm工藝的34%,而且良率很好,而三星展示的7nm SRAM芯片只有8Mb,更多的是研究性質(zhì),他們要等EUV光刻工藝成熟。
在ISSCC國(guó)際固態(tài)電路會(huì)議上,各大半導(dǎo)體公司都公布了自家半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)展,AMD昨天提到的Ryzen處理器的核心面積就是在ISSCC會(huì)議上公布的,EEtimes現(xiàn)在又報(bào)道了TSMC和三星的7nm工藝進(jìn)展情況。
TSMC的7nm 256MB SRAM芯片
TSMC雖然在16nm FinFET上吃過(guò)虧,不過(guò)他們?cè)?0nm、7nm工藝上野心勃勃,今年上半年將使用10nm工藝為蘋果量產(chǎn)A11處理器,這次公布的7nm工藝進(jìn)展看起來(lái)也很順利。TSMC公開了7nm工藝制造的256Mb SRAM芯片,位單元面積只有0.027um2,7層金屬層工藝,整個(gè)核心面積也只有42mm2。根據(jù)TSMC存儲(chǔ)業(yè)務(wù)部門的高管Jonathan Chang所說(shuō),TSMC的7nm工藝核心面積只有16nm工藝的0.34倍。
只有良率問(wèn)題,TSMC在論文中表示7nm工藝良率很“健康”(healthy),聽(tīng)上去很有信心。
三星展示的8Mb SRAM芯片
與此同時(shí),三星也公開了7nm工藝的部分信息,不過(guò)他們介紹的SRAM芯片容量只有8Mb,更像是研究而非開發(fā)性質(zhì)。三星同時(shí)針對(duì)現(xiàn)有設(shè)備及EUV工藝開發(fā)了兩種修復(fù)工藝,顯然EUV工藝的會(huì)更好,不過(guò)修復(fù)處理并不是半導(dǎo)體制造的必須過(guò)程,三星只是驗(yàn)證EUV工藝可以做到什么。
根據(jù)三星去年公布的消息,他們?cè)?nm工藝上是想等到EUV工藝成熟,業(yè)界分析認(rèn)為EUV工藝在2020年才會(huì)達(dá)到量產(chǎn)水平。