Intel宣布投資70億美元升級(jí)Fab 42工廠，3-4年后準(zhǔn)備生產(chǎn)7nm工藝，拉開了下下代半導(dǎo)體工藝競(jìng)爭(zhēng)的帷幕。三星、TSMC日前也在ISSCC會(huì)議上公布了自家的7nm工藝進(jìn)展，TSMC展示了7nm HKMG FinFET工藝的256Mb SRAM芯片，核心面只有16nm工藝的34%，而且良率很好，而三星展示的7nm SRAM芯片只有8Mb，更多的是研究性質(zhì)，他們要等EUV光刻工藝成熟。

在ISSCC國(guó)際固態(tài)電路會(huì)議上，各大半導(dǎo)體公司都公布了自家半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)展，AMD昨天提到的Ryzen處理器的核心面積就是在ISSCC會(huì)議上公布的，EEtimes現(xiàn)在又報(bào)道了TSMC和三星的7nm工藝進(jìn)展情況。

　　TSMC的7nm 256MB SRAM芯片

TSMC雖然在16nm FinFET上吃過(guò)虧，不過(guò)他們?cè)?0nm、7nm工藝上野心勃勃，今年上半年將使用10nm工藝為蘋果量產(chǎn)A11處理器，這次公布的7nm工藝進(jìn)展看起來(lái)也很順利。TSMC公開了7nm工藝制造的256Mb SRAM芯片，位單元面積只有0.027um2，7層金屬層工藝，整個(gè)核心面積也只有42mm2。根據(jù)TSMC存儲(chǔ)業(yè)務(wù)部門的高管Jonathan Chang所說(shuō)，TSMC的7nm工藝核心面積只有16nm工藝的0.34倍。

只有良率問(wèn)題，TSMC在論文中表示7nm工藝良率很“健康”（healthy），聽(tīng)上去很有信心。

　　三星展示的8Mb SRAM芯片

與此同時(shí)，三星也公開了7nm工藝的部分信息，不過(guò)他們介紹的SRAM芯片容量只有8Mb，更像是研究而非開發(fā)性質(zhì)。三星同時(shí)針對(duì)現(xiàn)有設(shè)備及EUV工藝開發(fā)了兩種修復(fù)工藝，顯然EUV工藝的會(huì)更好，不過(guò)修復(fù)處理并不是半導(dǎo)體制造的必須過(guò)程，三星只是驗(yàn)證EUV工藝可以做到什么。

根據(jù)三星去年公布的消息，他們?cè)?nm工藝上是想等到EUV工藝成熟，業(yè)界分析認(rèn)為EUV工藝在2020年才會(huì)達(dá)到量產(chǎn)水平。