近年來行動裝置推陳出新，帶動高階制程技術(shù)之需求大增，致2013年起臺灣的集成電路業(yè)產(chǎn)值連年創(chuàng)下歷史新高，2013、2014年各呈二位數(shù)成長，分別年增16.2％及23.9 ％。

　　唯有2015年下半年至2016年上半年因全球經(jīng)濟疲弱，手持行動裝置銷售滯緩，致104年產(chǎn)值僅年增6.2％，2016年下半年因終端電子產(chǎn)品需求回升，加上物聯(lián)網(wǎng)、車用電子、智慧自動化等新興應用發(fā)展，致2016年1至10月產(chǎn)值達1兆392億元，年增5.4％，預期2016年全年集成電路業(yè)產(chǎn)值將突破1兆2千億元，續(xù)創(chuàng)新高。

　　晶圓代工為集成電路業(yè)成長之主力

按產(chǎn)品觀察，晶圓代工產(chǎn)值占集成電路八成以上，由于先進制程技術(shù)持續(xù)精進，國際各大品牌行動裝置推陳出新，通訊晶片需求強勁，累計2016年1至10月產(chǎn)值達9，035億元（年增8.6％），為集成電路業(yè)成長之最主要貢獻來源；DRAM產(chǎn)值居次，因價格相對較104年為低而年減12.5％。

　　集成電路出口市場以中國大陸及香港居冠

臺灣的集成電路業(yè)直接外銷比率約八成，2016年1至11月集成電路出口總值達709億美元，較2015年同期成長11.1％，主要出口市場以中國大陸及香港（占54.8％）為首，年增22.5％最為顯著；新加坡（占14.1％）居次，年減6.5％，日本（占8.7％）及南韓（占8.5％）再次之。

臺灣業(yè)者為保持領(lǐng)先優(yōu)勢提高資本支出

為提升競爭優(yōu)勢，臺灣業(yè)者積極進行研發(fā)及投資，尤以晶圓代工廠投入資本支出最為可觀。依據(jù)證交所公開資訊觀測站公布之2016年前3季資料顯示，臺積電資本支出2，155億元（年增24.6％），聯(lián)電697億元（年增47.7％），有助于推升集成電路業(yè)之生產(chǎn)能量。

晶圓代工市占穩(wěn)居全球第一

根據(jù)國際研調(diào)機構(gòu)顧能（Gartner）統(tǒng)計，2015年全球晶圓代工銷售市場為489億美元，其中臺積電市占率高達54.3％，較2014年增加0.5個百分點，穩(wěn)居全球晶圓代工市場之第一名寶座，聯(lián)電、力晶科技、世界先進等亦名列全球晶圓代工前十大廠商，市占率合占67.2％，與2014年相近。

　　崛起的中國大陸半導體，臺灣半導體好日子快到頭了？

近年來，中國大陸大力投入半導體建設中，在年底1500億美元規(guī)模的存儲產(chǎn)業(yè)開工以后，似乎給臺灣產(chǎn)業(yè)帶來的威脅日益巨大。

- 首先是設計產(chǎn)業(yè)

大陸IC 設計廠商數(shù)量及規(guī)模皆快速成長，和臺灣差距不斷拉近，大陸海思2015 年的營收額已有約聯(lián)發(fā)科的一半，且已超過臺灣IC 設計二哥聯(lián)詠；而展訊與銳迪科正式合并后，同樣將超越聯(lián)詠的規(guī)模。大陸的IC設計業(yè)多是本土陸資，IC產(chǎn)品除傳統(tǒng)3C應用外，政策更扶持諸如車電、醫(yī)電MCU、智慧卡IC等產(chǎn)品，未來在IoT政策帶動需求下，IC設計公司將如雨后春筍般出頭。

近十年來大陸IC設計業(yè)者快速崛起，回顧2004年，全球前50大無晶圓廠半導體（Fabless）供應商還沒有大陸業(yè)者，2015年已有近700家Fabless廠商。2015年前50大Fabless名單中，美國Qualcomm和Broadcom仍保持第一和第二，聯(lián)發(fā)科從第六提升至第三，值得關(guān)注的是出現(xiàn)7家大陸業(yè)者，且排名多屬上升，海思已竄至第七名。

- 其次，晶圓廠的迅速崛起，這也是對臺灣的一大威脅

根據(jù)SEMI（國際半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會）的全球晶圓廠預測（World Fab Forecast）報告指出，2015年晶圓代工業(yè)整體產(chǎn)能已超越存儲，成為半導體產(chǎn)業(yè)當中最大的部門，并且在未來幾年可望持續(xù)領(lǐng)先。預料晶圓代工產(chǎn)能每年將成長5％，超越業(yè)界整體表現(xiàn)，晶圓代工產(chǎn)能到2017年底預計將達到每月6百萬片（8吋約當晶圓）。

臺灣的晶圓代工產(chǎn)能居全球之冠，其中12吋的產(chǎn)能占全球晶圓代工產(chǎn)能比重55％以上。臺積電與聯(lián)電是臺灣晶圓代工產(chǎn)能的兩大主要推手。臺積電十二廠第七期、十五廠第五及第六期正積極準備迎接10納米以下制程產(chǎn)能。聯(lián)電則持續(xù)擴充28納米產(chǎn)能，十二A廠第五期也準備投入14納米制程。

另一方面，晶圓代工產(chǎn)能全球第二的中國大陸則是成長最快的市場。2015年整體晶圓代工產(chǎn)能為每月95萬片，預計到了2017年底將增至每月120萬片，占全球晶圓代工產(chǎn)能將近20％。大陸晶圓代工龍頭中芯國際（SMIC）目前正致力提升北京B1廠和上海八廠（兩者均為12吋廠）等既有廠房的產(chǎn)能。

　　同時該公司也正在提升新成立的北京B2廠（12吋）與深圳十五廠（8吋）產(chǎn)能。中芯的擴充計畫同時包含了先進的28納米／40納米產(chǎn)能，以及技術(shù)成熟的8吋晶圓制程。其他擴大產(chǎn)能的業(yè)者還包括武漢新芯（XMC），旗下A廠產(chǎn)能將持續(xù)投入NOR快閃存儲代工業(yè)務；上海華力（Huali）也即將成立第二座晶圓廠，預計明年動工， 2018下半年起可望開始投注產(chǎn)能。

未來幾年，臺灣的晶圓代工業(yè)者也將對晶圓代工產(chǎn)能有所貢獻。今年稍晚聯(lián)電位于廈門的12寸廠將開始投產(chǎn)，2017年有力晶合肥廠，臺積電南京廠則將在2018年上線。這三處廠房全面投產(chǎn)后，將帶來每月至少11萬片（12吋）晶圓的產(chǎn)能。

除了增加產(chǎn)能，先進制程的技術(shù)競賽也特別激烈。臺積電、三星與格羅方德都想在10nm以下技術(shù)節(jié)點取得領(lǐng)先地位。技術(shù)的演進將帶動晶圓代工業(yè)者在未來幾年內(nèi)持續(xù)投資，其中又以臺灣與中國大陸為最。

存儲產(chǎn)業(yè)，大陸強勢崛起

中國大陸現(xiàn)在的三大存儲基地已經(jīng)開工，這可能對臺灣來說，也是一個不大不小的挑戰(zhàn)。

據(jù)報道，近期大陸三股勢力正如火如荼點燃DRAM主導權(quán)大戰(zhàn)，長江存儲傳已評估到南京設立12吋廠，聯(lián)電大陸DRAM廠福建晉華計劃2018年量產(chǎn)，并在南科廠同步研發(fā)25、30納米制程，至于合肥市與北京兆易創(chuàng)新合作的合肥長鑫，由前中芯國際執(zhí)行長王寧國操刀，大陸這三股DRAM勢力將決戰(zhàn)2018年，搶當大陸DRAM產(chǎn)業(yè)龍頭。

　　盡管大陸布局自制3DNANDFlash雛形漸現(xiàn)，長江存儲將與已購并飛索（Spansion）的賽普拉斯（Cypress）合作，切入32層和64層3DNAND技術(shù)，由于門檻較高，長江存儲仍有機會急起直追國際存儲器大廠，然值得注意的是，全球存儲器產(chǎn)業(yè)將率先上演大陸力爭DRAM主導權(quán)戲碼。

目前大陸DRAM勢力處于戰(zhàn)國時代，至少有三股DRAM勢力全面競逐版圖，除了長江存儲之外，還有聯(lián)電旗下福建晉華，其主要操盤手為前瑞晶總經(jīng)理、現(xiàn)任聯(lián)電資深副總陳正坤，第三股DRAM勢力則是合肥市政府結(jié)合GigaDevice及王寧國人馬成立的合肥長芯。

長江存儲與旗下武漢新芯原本是扮演大陸存儲器中心角色，將統(tǒng)籌3D NAND和DRAM兩大存儲器技術(shù)發(fā)展，然大陸政府傳出針對長江存儲DRAM布局進行規(guī)范，若是自行研發(fā)DRAM技術(shù)必須先量產(chǎn)3D NAND，但若對外購買技術(shù)則無此限制，使得長江存儲積極與國際大廠合作，以加速DRAM量產(chǎn)，并獲得專利保護傘。

長江存儲除了積極與美光洽談DRAM技術(shù)專利授權(quán)，業(yè)界亦傳出正著手評估自建或購并現(xiàn)有晶圓廠的可能性，甚至有意跟隨臺積電腳步評估在南京設立12吋晶圓廠，長江存儲執(zhí)行長楊士寧則表示，將以購并現(xiàn)有晶圓廠為第一考量。

近期武漢新芯12吋新廠已經(jīng)動起來，單月產(chǎn)能規(guī)劃30萬片，涵蓋NAND Flash和DRAM芯片，然業(yè)界預期長江存儲兩大產(chǎn)品線的生產(chǎn)基地，最終仍會分開進行。至于大陸另外兩個DRAM陣營亦加快腳步展開研發(fā)自制，希望搶在長江存儲之前先量產(chǎn)DRAM技術(shù)，以爭取大陸DRAM產(chǎn)業(yè)寶座。

聯(lián)電與福建晉江地方政府合作成立的福建晉華新廠已經(jīng)動工，預計2018年進入量產(chǎn)，業(yè)界傳出大陸注資近新臺幣100億元，讓聯(lián)電在南科廠同時進行25、30納米技術(shù)研發(fā)，預計2017年底完成技術(shù)開發(fā)，福建晉華則配合在2018年下半裝機，屆時聯(lián)電南科廠DRAM技術(shù)將快速轉(zhuǎn)到福建晉華量產(chǎn)。

盡管福建晉華至少要投入25納米以下制程技術(shù)，才有機會獲得大陸官方青睞，但聯(lián)電采取較謹慎作法，避免一下子投入25納米技術(shù)開發(fā)面臨失敗風險，遂同時研發(fā)30納米作為備案。

大陸第三股DRAM勢力系由王寧國操刀的合肥長鑫，原本合肥市政府和Giga Device投資的廠房，傳出主要投入DRAM相關(guān)存儲器IC設計，然近期業(yè)界傳出該陣營將豪擲逾新臺幣1，000億元，同時進行DRAM研發(fā)和制造。
目前大陸這三股DRAM勢力持續(xù)進行招兵買馬，并雙頭并進朝向技術(shù)專利授權(quán)及自主技術(shù)研發(fā)模式發(fā)展，希望趁著大陸DRAM主導權(quán)還未底定之前先卡好位，預期2018年這三大DRAM陣營將力拚量產(chǎn)并陷入激戰(zhàn)。

在此期間，大陸瘋狂挖角臺灣僅存的存儲產(chǎn)業(yè)人才，這對臺灣來說，是一個重大的打擊?，F(xiàn)在臺灣業(yè)者和美光的合作，是否對大陸造成重大影響，這又是另一個話題了。

　　根據(jù)臺灣本地的半導體觀察家陸行之所說，目前看來，只要臺灣經(jīng)濟部投審會能在未來12個月內(nèi)，（1）有條件通過紫光25％參股力成和南茂案—或改由長江存儲申請參股或交換部分股權(quán)；或（2 ）有條件開放IC設計業(yè)讓長江存儲參／換股NAND flash控制器的群聯(lián)電子；或（3）批準南亞科進行技術(shù)合作來換取長江存儲的參股，這些臺灣存儲公司和員工，都還有機會參與中國大陸存儲產(chǎn)業(yè)5％到50％自給率一條龍式的全新布局，并與韓國大廠爭奪市場。

如果這些都無法完成，未來五到十年，臺灣存儲產(chǎn)業(yè)應會尋求機會與長江存儲設立合資企業(yè)，或?qū)で髾C會溢價賣給日本歐美大廠尋求下市。否則長江存儲必將大量從力成、南茂、群聯(lián)、南亞科高薪挖角以建立自己的供應鏈，并打擊僅存的臺灣存儲相關(guān)廠商。

　　華亞科溢價賣出，力成、南茂同意紫光參股，群聯(lián)潘健成董事長最近不斷呼吁政府有條件開放中資投資IC設計和為求企業(yè)經(jīng)營彈性和生存而涉及子公司財報不實案，在在都顯示，奄奄一息的臺灣存儲產(chǎn)業(yè)極需要政府更有策略思維的解救。