移動(dòng)設(shè)備如何更快、更薄、更省電呢？芯片必然是關(guān)鍵，尤其是芯片的工藝制程，越先進(jìn)的工藝制程越能夠制造出更小但更強(qiáng)大的芯片。我們已經(jīng)知道，下一代智能手機(jī)芯片，如高通Snapdragon 835，已經(jīng)開(kāi)始采用10納米工藝制程了，MTK的千元芯片同樣不例外。那么，10納米之后的7納米呢？對(duì)此ARM方面認(rèn)為，兩年后即可進(jìn)入7納米時(shí)代。

本周一的時(shí)候，芯片設(shè)計(jì)解決方案廠商ARM，聲稱(chēng)正在與臺(tái)灣的芯片代工廠商臺(tái)積電展開(kāi)7納米芯片技術(shù)的合作，ARM將與合作方共享7納米芯片設(shè)計(jì)的知識(shí)產(chǎn)權(quán)，屆時(shí)臺(tái)積電將具備設(shè)計(jì)和生產(chǎn) 7納米芯片的能力。ARM營(yíng)銷(xiāo)副總裁羅恩·摩爾（Ron Moore）表示，預(yù)計(jì)2018年臺(tái)積電將開(kāi)始提供7納米工藝制程的芯片生產(chǎn)。

根據(jù)ARM公布的試驗(yàn)報(bào)告，相比目前臺(tái)積電的16納米工藝芯片而言，更先進(jìn)的7納米芯片將能夠提供15%到20%的性能提升，但智能手機(jī)芯片制造商可以調(diào)整結(jié)構(gòu)以獲得更好的性能改進(jìn)指標(biāo)。

羅恩·摩爾說(shuō)，基于ARM芯片的服務(wù)器和物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備也將會(huì)采用7納米工藝制造。最終，因此芯片制造商能夠基于他們的需求對(duì)ARM設(shè)計(jì)的芯片做出調(diào)整。像VR虛擬現(xiàn)實(shí)和深度學(xué)習(xí)這種對(duì)芯片性能要求更高的特征，確實(shí)給他們?cè)谥圃旃に嚪矫嬖斐闪艘欢ǖ奶魬?zhàn)，不過(guò)可以通過(guò)多GPU配置進(jìn)行優(yōu)化。

羅恩·摩爾還表示，預(yù)計(jì)在7納米工藝制程正式量產(chǎn)之時(shí)，還將包含諸多新技術(shù)的發(fā)展，包括 EUV技術(shù)，可以讓芯片的細(xì)節(jié)被蝕刻得更精細(xì)，但基于ARM IP設(shè)計(jì)芯片的廠商不需要對(duì)這些技術(shù)進(jìn)行深入了解。

臺(tái)積電的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手Globalfoundries也正計(jì)劃轉(zhuǎn)移到7納米工藝制程上，預(yù)計(jì)在2018年可以量產(chǎn)。三星目前暫時(shí)未公開(kāi)談?wù)?納米工藝的計(jì)劃，但更早卻展示過(guò)5納米工藝。至于英特爾，之前曾表示7納米會(huì)將成一個(gè)發(fā)展線路圖上一個(gè)重要的節(jié)點(diǎn)，相信會(huì)在適當(dāng)?shù)臅r(shí)機(jī)公布相關(guān)計(jì)劃。

7納米之后的下一步是5納米，不過(guò)現(xiàn)在談?wù)撊詾闀r(shí)尚早。羅恩·摩爾認(rèn)為，2018年將會(huì)是7納米的發(fā)展元年。