半導(dǎo)體行業(yè)人士都知道，中國(guó)存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)還有很大的發(fā)展空間，目前，很大一部分還依賴(lài)進(jìn)口。三星、美光、東芝、海力士等企業(yè)壟斷的存儲(chǔ)器市場(chǎng)高達(dá)800億美元，而中國(guó)每年進(jìn)口的存儲(chǔ)芯片就達(dá)600億美元。為了提升中國(guó)存儲(chǔ)芯片競(jìng)爭(zhēng)力，中國(guó)半導(dǎo)體企業(yè)加大了存儲(chǔ)芯片投資力度、中國(guó)資本極力進(jìn)行海外擴(kuò)張……

匯總中國(guó)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)事件

　　最新：兆易創(chuàng)新整并ISSI

11月19日，兆易創(chuàng)新再發(fā)持續(xù)停牌公告，并正式揭露即將與 ISSI 整并的消息。今年 9 月中開(kāi)始兆易創(chuàng)新即以重大資產(chǎn)重組為由停牌多時(shí)，此次，兆易創(chuàng)新也正式揭露了原因，且攸關(guān)中國(guó)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)的大布局。

武岳峰資本7.3億美元收購(gòu)ISSI

2015年6月，美國(guó)Integrated Silicon Solution公司（ISSI）宣布，該公司股東就“中國(guó)投資公司武岳峰資本（Uphill Investment）收購(gòu)ISSI”達(dá)成協(xié)議。武岳峰將以23美元/股的價(jià)格現(xiàn)金收購(gòu)ISSI的股份。

武漢新芯存儲(chǔ)基地項(xiàng)目啟動(dòng)

2016年3月28日，總投資240億美元（約1600億元）的存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目今日在武漢東湖高新區(qū)正式啟動(dòng)。該項(xiàng)目位于光谷智能制造產(chǎn)業(yè)園，建設(shè)內(nèi)容包括芯片制造、產(chǎn)業(yè)鏈配套等，將在5年內(nèi)投資240億美元，預(yù)計(jì)到2020年形成月產(chǎn)能30萬(wàn)片生產(chǎn)規(guī)模，2030年建成每月100萬(wàn)片產(chǎn)能。

晉華存儲(chǔ)器集成電路項(xiàng)目開(kāi)工

2016年7月16日，福建晉華存儲(chǔ)器集成電路生產(chǎn)線(xiàn)項(xiàng)目在泉州晉江開(kāi)工。該項(xiàng)目一期投資370億元，是泉州乃至福建發(fā)展集成電路產(chǎn)業(yè)的重大戰(zhàn)略布局，將打造成國(guó)內(nèi)首家具有自主技術(shù)及世界級(jí)先進(jìn)制造工藝的存儲(chǔ)器研發(fā)制造企業(yè)。

兆易創(chuàng)新買(mǎi)下憶正武漢SSD廠(chǎng)

2016年9月，業(yè)界領(lǐng)先的存儲(chǔ)器和控制器供應(yīng)商兆易創(chuàng)新 （Gigadevice）上市剛滿(mǎn)一月便閃電停牌籌劃重組。業(yè)內(nèi)傳出消息，兆易創(chuàng)新日前買(mǎi)下固態(tài)硬盤(pán)（SSD）供應(yīng)商憶正科技位于武漢的廠(chǎng)房，開(kāi)啟并購(gòu)之路。

武漢新芯與紫光成立長(zhǎng)江存儲(chǔ)

2016年7月26日，長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司正式成立，武漢新芯將成為長(zhǎng)江存儲(chǔ)的全資子公司，而紫光集團(tuán)則是參與長(zhǎng)江存儲(chǔ)的二期出資。半導(dǎo)體行業(yè)人士認(rèn)為，長(zhǎng)江存儲(chǔ)的成立將為后續(xù)中國(guó)布局自主性存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)帶來(lái)進(jìn)展，利于整合國(guó)家資源，提高項(xiàng)目成功率。

關(guān)于ISSI

ISSI（芯成半導(dǎo)體有限公司） 主要設(shè)計(jì)與銷(xiāo)售SRAM、中低密度 DRAM、EEPROM 等集成電路產(chǎn)品，主要應(yīng)用于汽車(chē)、工業(yè)、醫(yī)療、網(wǎng)絡(luò)、移動(dòng)通訊、電子消費(fèi)產(chǎn)品?？蛻?hù)都是一些電子工業(yè)巨頭，如3Com、Alcatel、Cisco、Ericsson、Hewlett Packard、IBM、Lexmark、Motorola、Nokia、Seagate等公司。ISSI為少數(shù)中資收購(gòu)海外半導(dǎo)體企業(yè)成功的案例，而在收購(gòu) ISSI 之前，中國(guó)也僅有從奇夢(mèng)達(dá)（Qimonda）所分拆出來(lái)的西安華芯半導(dǎo)體一家 DRAM 廠(chǎng)。

ISSI是國(guó)際化大公司，總部設(shè)在美國(guó)，在美國(guó)、歐洲擁有分公司，在臺(tái)灣有合資企業(yè)，在中國(guó)香港設(shè)有子公司，銷(xiāo)售辦事處分布在美國(guó)、歐洲、香港、中國(guó)、臺(tái)灣、日本。共有雇員590人。ISSI 用0.25微米工藝技術(shù)生產(chǎn)最新進(jìn)的SRAM產(chǎn)品，產(chǎn)品都是由代工服務(wù)商代為生產(chǎn)，臺(tái)灣的TSMC、UMC、新加坡的Chartered Semiconductor都是它的合作伙伴。

芯成半導(dǎo)體（上海）有限公司ISSI的獨(dú)資子公司，成立于2000年9月，2001年7月遷入張江，總投資1583萬(wàn)美元。

看點(diǎn)：中國(guó)存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展事件梳理

兆易創(chuàng)新整并剛變中資的 ISSI

11月19日，兆易創(chuàng)新再發(fā)持續(xù)停牌公告，并正式揭露即將與 ISSI 整并的消息。今年 9 月中開(kāi)始兆易創(chuàng)新即以重大資產(chǎn)重組為由停牌多時(shí)，此次，兆易創(chuàng)新也正式揭露了原因，且攸關(guān)中國(guó)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)的大布局。

先前即有過(guò)報(bào)導(dǎo)，中國(guó) NOR Flash 廠(chǎng)商兆易創(chuàng)新（Gigadevice）可能與武岳峰等中國(guó)基金所收購(gòu)的美國(guó) DRAM 廠(chǎng) ISSI 合并。

兆易創(chuàng)新公告中指出，公司擬收購(gòu)北京閃勝投資公司，北京閃勝主要擁有先前以中國(guó)私募基金武岳峰為首所收購(gòu)的美 DRAM 廠(chǎng)商 ISSI（IntegratedSilicon Solution）股份，兆易創(chuàng)新若與 ISSI 合并，加上現(xiàn)有的 NOR Flash 技術(shù)，將成為 Flash 與 DRAM 兼?zhèn)涞木C合型內(nèi)存廠(chǎng)商。

ISSI 主要設(shè)計(jì)與銷(xiāo)售 SRAM、中低密度 DRAM、EEPROM等集成電路產(chǎn)品，主要應(yīng)用于汽車(chē)、工業(yè)、醫(yī)療、網(wǎng)絡(luò)、移動(dòng)通訊、電子消費(fèi)產(chǎn)品。ISSI 為少數(shù)中資收購(gòu)海外半導(dǎo)體企業(yè)成功的案例，而在收購(gòu) ISSI 之前，中國(guó)也僅有從奇夢(mèng)達(dá)（Qimonda）所分拆出來(lái)的西安華芯半導(dǎo)體一家 DRAM 廠(chǎng)。

除了合并 ISSI，兆易創(chuàng)新臺(tái)面下也正積極籌劃建廠(chǎng)，兆易創(chuàng)新傳出將與中芯前CEO王寧國(guó)所主導(dǎo)的合肥長(zhǎng)鑫團(tuán)隊(duì)共同在合肥建立存儲(chǔ)廠(chǎng)，日前，兆易創(chuàng)新招募信息與合肥長(zhǎng)鑫環(huán)評(píng)文件曝光，間接證實(shí)了此消息，從種種文件來(lái)看，新廠(chǎng)可能落戶(hù)合肥空港經(jīng)濟(jì)示范區(qū)，估計(jì) 2017 年 7 月動(dòng)工，從事 12 寸半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片生產(chǎn)，總投資額高達(dá) 494 億人民幣，產(chǎn)能初估一年在 150 萬(wàn)片（月產(chǎn)能 12.5 萬(wàn)片）。

世界級(jí)存儲(chǔ)器基地在武漢啟動(dòng)

2016年3月28日，總投資240億美元（約1600億元）的存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目今日在武漢東湖高新區(qū)正式啟動(dòng)。該項(xiàng)目位于光谷智能制造產(chǎn)業(yè)園，建設(shè)內(nèi)容包括芯片制造、產(chǎn)業(yè)鏈配套等，將在5年內(nèi)投資240億美元，預(yù)計(jì)到2020年形成月產(chǎn)能30萬(wàn)片生產(chǎn)規(guī)模，2030年建成每月100萬(wàn)片產(chǎn)能。

為保證該項(xiàng)目順利實(shí)施，國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金、湖北省集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金、國(guó)開(kāi)發(fā)展基金有限公司、湖北省科技投資集團(tuán)有限公司共同出資作為股東，在武漢新芯集成電路制造有限公司的基礎(chǔ)上組建一家存儲(chǔ)器公司作為存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目實(shí)施主體公司。

此前，湖北省、武漢市、東湖高新區(qū)還共同設(shè)立了500億元湖北集成電路產(chǎn)業(yè)專(zhuān)屬投資基金，用于建設(shè)存儲(chǔ)器生產(chǎn)研發(fā)以及產(chǎn)業(yè)鏈上下游項(xiàng)目。

據(jù)悉，官方期望這一存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目能集存儲(chǔ)器產(chǎn)品設(shè)計(jì)、技術(shù)研發(fā)、晶圓生產(chǎn)于測(cè)試、銷(xiāo)售于一體，但初步將先行建造 Flash 廠(chǎng)，同樣生產(chǎn) NOR 型Flash，并逐步移轉(zhuǎn)至 NAND Flash 產(chǎn)品，甚至3D NAND Flash，2015 年 5 月，武漢新芯才與 NOR 存儲(chǔ)器廠(chǎng)商飛索半導(dǎo)體（Spansion）簽訂合作協(xié)議與交叉授權(quán)發(fā)展 3D NAND Flash 技術(shù)，調(diào)研機(jī)構(gòu)曾預(yù)估，武漢新芯將在 2017 年底或 2018 年初推出 3D-NAND Flash 的產(chǎn)品來(lái)切入閃存儲(chǔ)存產(chǎn)業(yè)，透過(guò)盡早導(dǎo)入新技術(shù)的方式，縮短與現(xiàn)今國(guó)際 NAND Flash 大廠(chǎng)的差距。

官方稱(chēng)，武漢新芯存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目建成后，可帶動(dòng)設(shè)計(jì)、封裝、制造、應(yīng)用等芯片產(chǎn)業(yè)相關(guān)環(huán)節(jié)的發(fā)展，集合已經(jīng)在光谷地區(qū)形成規(guī)模的顯示產(chǎn)業(yè)（天馬、華星光電）、智能手機(jī)產(chǎn)業(yè)（華為、聯(lián)想、富士康），打造萬(wàn)億級(jí)的芯片─顯示─智能手機(jī)全產(chǎn)業(yè)鏈生態(tài)體系。

武漢新芯與紫光成立長(zhǎng)江存儲(chǔ)

2016年7月26日，長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司正式成立，武漢新芯將成為長(zhǎng)江存儲(chǔ)的全資子公司，而紫光集團(tuán)則是參與長(zhǎng)江存儲(chǔ)的二期出資。半導(dǎo)體行業(yè)人士認(rèn)為，長(zhǎng)江存儲(chǔ)的成立將為后續(xù)中國(guó)布局自主性存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)帶來(lái)進(jìn)展，利于整合國(guó)家資源，提高項(xiàng)目成功率。

據(jù)武漢新芯介紹，長(zhǎng)江存儲(chǔ)的注冊(cè)資本分兩期出資。一期由國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金股份有限公司、湖北國(guó)芯產(chǎn)業(yè)投資基金合伙企業(yè)（有限合伙）和武漢新芯股東湖北省科技投資集團(tuán)有限公司共同出資，在武漢新芯集成電路制造有限公司（即“武漢新芯”）的基礎(chǔ)上建立長(zhǎng)江存儲(chǔ)。二期將由紫光集團(tuán)和國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金股份有限公司共同出資。

紫光集團(tuán)董事長(zhǎng)趙偉國(guó)出任長(zhǎng)江存儲(chǔ)董事長(zhǎng)，副董事長(zhǎng)分別由國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金股份有限公司總經(jīng)理丁文武和湖北省長(zhǎng)江經(jīng)濟(jì)帶產(chǎn)業(yè)基金公司副總經(jīng)理?xiàng)畹篮绯鋈危錆h新芯董事長(zhǎng)王繼增為長(zhǎng)江存儲(chǔ)監(jiān)事長(zhǎng)，武漢新芯CEO楊士寧任總經(jīng)理。至此，國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目的實(shí)施主體公司正式搭建完成。

存儲(chǔ)器是信息系統(tǒng)的基礎(chǔ)核心芯片，亦是最大宗的集成電路產(chǎn)品，同時(shí)還是我國(guó)進(jìn)口金額最大的集成電路產(chǎn)品。

據(jù)介紹，按照國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目規(guī)劃，長(zhǎng)江存儲(chǔ)的主要產(chǎn)品為3D NAND，將以芯片制造環(huán)節(jié)為突破口，集存儲(chǔ)器產(chǎn)品設(shè)計(jì)、技術(shù)研發(fā)、晶圓生產(chǎn)與測(cè)試、銷(xiāo)售于一體，預(yù)計(jì)到2020年形成月產(chǎn)能30萬(wàn)片的生產(chǎn)規(guī)模，到2030年建成每月100萬(wàn)片的產(chǎn)能。

兆易創(chuàng)新買(mǎi)下憶正武漢SSD廠(chǎng)

2016年9月，業(yè)界領(lǐng)先的存儲(chǔ)器和控制器供應(yīng)商兆易創(chuàng)新 （Gigadevice）上市剛滿(mǎn)一月便閃電停牌籌劃重組。業(yè)內(nèi)傳出消息，兆易創(chuàng)新日前買(mǎi)下固態(tài)硬盤(pán)（SSD）供應(yīng)商憶正科技位于武漢的廠(chǎng)房，開(kāi)啟并購(gòu)之路。

當(dāng)前世界中，有三家供應(yīng)商憑借SPI NOR Flash在消費(fèi)應(yīng)用領(lǐng)域中取得了成功，兆易位列其一，另外兩家是臺(tái)灣的旺宏和華邦，這三家公司合計(jì)占有SPI NOR Flash出貨量80%以上。由于兆易的迅速崛起，給臺(tái)系廠(chǎng)商造成了不小的壓力。

兆易創(chuàng)新是SPI NOR FLASH領(lǐng)域全球最大的fabless供應(yīng)商，成立于2005年4月，總部設(shè)于中國(guó)北京，在中國(guó)大陸、臺(tái)灣、韓國(guó)、美國(guó)、日本、英國(guó)等多個(gè)國(guó)家和地區(qū)設(shè)有分支機(jī)構(gòu)。

由于兆易創(chuàng)新是純NOR Flash芯片設(shè)計(jì)公司，長(zhǎng)期委由中芯國(guó)際代工，近年來(lái)兆易創(chuàng)新也在擴(kuò)大多元化的晶圓代工來(lái)源，開(kāi)始與華力微電子、武漢新芯接洽，展開(kāi)NOR Flash芯片代工的業(yè)務(wù)。

憶正科技位于武漢的工廠(chǎng)前身是SSD研發(fā)中心與組裝廠(chǎng)。憶正科技原本是工業(yè)和軍用SSD供應(yīng)商，一直是eMMC控制芯片供應(yīng)商，但看好看好未來(lái)智能手機(jī)以及平板電腦內(nèi)建的儲(chǔ)存規(guī)格將從eMMC轉(zhuǎn)到eMCP上，同時(shí)也看好印度、非洲等新興智能手機(jī)市場(chǎng)。于2015年將eMCP模組視為重點(diǎn)產(chǎn)品，更積極鞏固eMCP當(dāng)中的DRAM芯片貨源，與美光、東芝等存儲(chǔ)器大廠(chǎng)在NAND Flash上都有技術(shù)合作，可獲得穩(wěn)定的存儲(chǔ)芯片貨源，同時(shí)美光也是股東之一。正是出于以上因素，憶正科技決定出脫位于武漢的工廠(chǎng)和團(tuán)隊(duì)。

武岳峰資本7.3億美元收購(gòu) ISSI

2015年6月，美國(guó)Integrated Silicon Solution公司（ISSI）宣布，該公司股東就“中國(guó)投資公司武岳峰資本（Uphill Investment）收購(gòu)ISSI”達(dá)成協(xié)議。武岳峰將以23美元/股的價(jià)格現(xiàn)金收購(gòu)ISSI的股份。

武岳峰資本此次對(duì)芯成半導(dǎo)體的收購(gòu)可謂一波三折。2015年3月12日宣布與芯成半導(dǎo)體達(dá)成約束性收購(gòu)協(xié)議，收購(gòu)價(jià)格為每股19.25美元，總價(jià)格約為6.395億美元，并預(yù)計(jì)交易將在第三季度完成。但很快就引來(lái)了攪局者。5月13日，Cypress宣布以每股19.75美元非約束性要約收購(gòu)芯成;16天后，武岳峰資本與芯成簽訂了補(bǔ)充協(xié)議，將收購(gòu)價(jià)格上調(diào)為至每股20美元;Cypress立即宣布將收購(gòu)價(jià)格提升至每股20.25美元。6月18日，Cypress又將收購(gòu)價(jià)格提升至每股21.25美元，武岳峰資本旋即于6月19日將價(jià)格提至22美元;Cypress很快又加價(jià)至22.25美元，武岳峰資本23日跟進(jìn)提價(jià)至23美元。

武岳峰資本之所以受到如此重視，形成與Cypress競(jìng)相加價(jià)的局面，與ISSI的主營(yíng)業(yè)務(wù)有關(guān)。資料顯示，ISSI以設(shè)計(jì)與銷(xiāo)售SRAM、中低密度DRAM、EEPROM等集成電路產(chǎn)品為主，應(yīng)用范疇多在汽車(chē)、工業(yè)、醫(yī)療、網(wǎng)路、行動(dòng)通訊、電子消費(fèi)產(chǎn)品，ISSI主要致力于95納米與65納米產(chǎn)品設(shè)計(jì)與研發(fā)。

拼產(chǎn)能：中國(guó)存儲(chǔ)三大勢(shì)力成形

中國(guó)發(fā)展存儲(chǔ)成三路進(jìn)擊，除了由武漢新芯與紫光合體組成的長(zhǎng)江存儲(chǔ)、聯(lián)電相助的福建晉華集成，第三勢(shì)力在兆易創(chuàng)新與前中芯CEO王寧國(guó)主導(dǎo)的合肥長(zhǎng)鑫合作下也蠢蠢欲動(dòng)。

紫光集團(tuán)先前欲并購(gòu)美光、與 SK 海力士談授權(quán)最后都無(wú)疾而終，最終與獲得中國(guó)存儲(chǔ)統(tǒng)籌資源的武漢新芯合并，進(jìn)一步成立長(zhǎng)江存儲(chǔ)公司，由紫光董事長(zhǎng)趙偉國(guó)兼任長(zhǎng)江存儲(chǔ)董事長(zhǎng)，大基金總經(jīng)理丁文武出任副董事長(zhǎng)，并由原武漢新芯CEO楊士寧出任總經(jīng)理負(fù)責(zé) NAND Flash 擘劃，轉(zhuǎn)戰(zhàn)紫光的前華亞科董事長(zhǎng)則任長(zhǎng)江存儲(chǔ)營(yíng)運(yùn)長(zhǎng)重起爐灶籌備 DRAM建廠(chǎng)。

武漢新芯存儲(chǔ)基地已在 2016 年 3 月底動(dòng)土，根據(jù)先前取得的消息，新的存儲(chǔ)基地將分三期，總規(guī)劃面積約 100 萬(wàn)平方米，一期于 8 月開(kāi)工、預(yù)計(jì) 2018 年建設(shè)完成，月產(chǎn)能約 20 萬(wàn)片，而官方目標(biāo)到 2020 年基地總產(chǎn)能達(dá) 30 萬(wàn)片/月、2030 年來(lái)到 100 萬(wàn)片/月。第一步已與 NOR 內(nèi)存廠(chǎng)商飛索半導(dǎo)體（Spansion）簽訂技術(shù)授權(quán)，從 3D NAND Flash 下手，并預(yù)計(jì) 2017 有能力推出 32 層堆疊、2018 年推出 48 層堆疊 3D NAND Flash。在 DRAM 進(jìn)展上與美光洽談技術(shù)授權(quán)還未有眉目，也有消息指出，高啟全正招兵買(mǎi)馬透過(guò)人脈挖角中國(guó)臺(tái)灣地區(qū) DRAM 相關(guān)人才，或?yàn)榻◤S(chǎng)做準(zhǔn)備。

在 DRAM 進(jìn)展有較大突破的為福建后起勢(shì)力，福建省政府在 5 月宣布，所投資的晉華集成與聯(lián)電簽訂技術(shù)合作協(xié)定，由聯(lián)電接受晉華委托開(kāi)發(fā) DRAM 相關(guān)制程技術(shù)，生產(chǎn)利基型 DRAM，團(tuán)隊(duì)由瑞晶、美光臺(tái)灣前總經(jīng)理、現(xiàn)任聯(lián)電資深副總經(jīng)理陳正坤領(lǐng)軍，在 7 月 12 寸廠(chǎng)建廠(chǎng)奠基的同時(shí)，已在中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)的南科建立小型試產(chǎn)線(xiàn)，據(jù)了解初期將導(dǎo)入 32 納米，但最終目標(biāo)其實(shí)放在 25 納米以下制程，以求與其他 DRAM 大廠(chǎng)不致有太大落差，初步產(chǎn)能規(guī)劃每月 6 萬(wàn)片，估計(jì) 2017 年底完成技術(shù)開(kāi)發(fā)，2018 年 9 月試產(chǎn)，并在 2019 年以前將產(chǎn)線(xiàn)移轉(zhuǎn)至福建新廠(chǎng)。

而合肥欲起的 DRAM 勢(shì)力在前爾必達(dá)社長(zhǎng)坂本幸雄淡出合肥后，由中國(guó)本土 NOR Flash 廠(chǎng)商兆易創(chuàng)新（GigaDevice）與中芯國(guó)際前CEO王寧國(guó)所主導(dǎo)，目前兆易創(chuàng)新將與武岳峰等中國(guó)基金并購(gòu)的美國(guó) DRAM 廠(chǎng) ISSI 合并，成為長(zhǎng)江存儲(chǔ)后，另一家 DRAM/NAND Flash 發(fā)展兼具的內(nèi)存廠(chǎng)商。

除了三廠(chǎng)競(jìng)逐成為焦點(diǎn)，團(tuán)隊(duì)主導(dǎo)人也頗有淵源，主導(dǎo)合肥團(tuán)隊(duì)的王寧國(guó)與長(zhǎng)江存儲(chǔ)總經(jīng)理?xiàng)钍繉幫瑯映錾碇行緡?guó)際，先前兩派人馬在中芯斗爭(zhēng)多年甚至躍上新聞版面，如今再度碰頭；而現(xiàn)任長(zhǎng)江存儲(chǔ)營(yíng)運(yùn)長(zhǎng)的高啟全與聯(lián)電資深副總經(jīng)理陳正坤，相繼待過(guò)華亞科、美光體系，中國(guó)內(nèi)存爭(zhēng)戰(zhàn)熟人相爭(zhēng)就看誰(shuí)能帶領(lǐng)團(tuán)隊(duì)率先出線(xiàn)。

中國(guó)存儲(chǔ)芯片發(fā)展現(xiàn)狀

Memory 是 IC 領(lǐng)域最重要的一個(gè)領(lǐng)域。目前，這一領(lǐng)域由于其極高的技術(shù)壁壘和資本壁壘，在全球形成了極強(qiáng)的寡頭壟斷，三四家廠(chǎng)商壟斷了全球 90%以上的市場(chǎng)。

近幾年，Memory 產(chǎn)品受益于移動(dòng)智能終端快速滲透，帶來(lái)對(duì)產(chǎn)品需求的高速增長(zhǎng)，過(guò)去三年復(fù)合增長(zhǎng)率 18%，遠(yuǎn)高于半導(dǎo)體行業(yè)整體 7%的增長(zhǎng)速度，成為整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)增長(zhǎng)的主要推動(dòng)力。

未來(lái)幾年全球 Memory 市場(chǎng)仍有望保持快速增長(zhǎng)。1）個(gè)人電腦與手機(jī)等移動(dòng)終端的需求旺盛，拉動(dòng)了 DRAM 產(chǎn)值的大幅增加。2）智能手機(jī)與固態(tài)硬盤(pán)（SSD）將成為 NAND Flash最大需求。3）3D NAND Flash 成為存儲(chǔ)芯片的重要增長(zhǎng)點(diǎn)。

存儲(chǔ)芯片根據(jù)斷電后所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)是否會(huì)丟失，可以分為易失性存儲(chǔ)器（Volatile Memory）和非易失性存儲(chǔ)器（Non-Volatile Memory），其中 DRAM 與 NAND Flash 分別為這兩類(lèi)存儲(chǔ)器的代表。盡管存儲(chǔ)芯片種類(lèi)眾多，但從產(chǎn)值構(gòu)成來(lái)看， DRAM 與 NAND Flash 已經(jīng)成為存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)的主要構(gòu)成部分。

▲ Memory 產(chǎn)品分類(lèi)

根據(jù) IHS 的統(tǒng)計(jì)，2015 年第三季度三星 DRAM 全球市場(chǎng)占有率達(dá)到 45.2%，SK海力士占有率為 27.3%，第三大廠(chǎng)商美光占有率為 20.4%，前三大龍頭合計(jì)市占率達(dá)到了 93%。在Nand Flash 市場(chǎng)上，2014 年三星市占率為 36.5%，東芝為 31.8%，海力士為 18.9%，美光為 12.8%，前四家廠(chǎng)商幾乎壟斷整個(gè)市場(chǎng)。

▲ DRAM 前三家市占率超 90%

▲ Nand Flash 幾乎被四家廠(chǎng)商壟斷

總結(jié)：綜合目前國(guó)內(nèi)產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀來(lái)看，發(fā)展存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)，有三條路擺在我們面前：自主研發(fā)、國(guó)際并購(gòu)和兩岸合作。然而有專(zhuān)家指出，兩岸合作解決不了我國(guó)大陸存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)發(fā)展的根本性的技術(shù)問(wèn)題，從自主研發(fā)來(lái)看，似乎可以采取研究院所與企業(yè)聯(lián)合創(chuàng)新的模式。國(guó)際并購(gòu)?fù)度胭Y本很大，在并購(gòu)的同時(shí)，自主研發(fā)必須同步進(jìn)行。

無(wú)論朝哪個(gè)方向走，發(fā)展存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)注定沒(méi)有捷徑，有行業(yè)人士發(fā)表觀(guān)點(diǎn)，中國(guó)存儲(chǔ)要做好長(zhǎng)期大規(guī)模投入并虧損準(zhǔn)備。