OFweek電子工程網(wǎng)訊：全球手機芯片龍頭高通明年主打的旗艦芯片驍龍830（產(chǎn)品代號為MSM8998）由三星操刀代工，但至今送樣仍少，市場傳出主因產(chǎn)品進度不順，高通后續(xù)訂單可能轉(zhuǎn)回臺積電，為臺積電明年再新增一家十納米重量級客戶，挹注營運動能。

過去高通的最高階旗艦手機芯片主要都由臺積電代工生產(chǎn)，但是，前年由臺積電制造的驍龍810出現(xiàn)過熱問題，一度遭點名恐對今年各家手機品牌廠旗艦機銷售帶來影響。

加上三星去年的旗艦手機Galaxy S6不用高通驍龍810芯片，轉(zhuǎn)用自家芯片，高通再將今年主推的驍龍820轉(zhuǎn)單至三星以十四納米制程生產(chǎn)，因而再度拿下三星今年旗艦機種Galaxy S7訂單，高通明年主推的驍龍830則持續(xù)由三星以十納米制程生產(chǎn)。

由于高通的驍龍8系列手機芯片一向是三星、宏達電、華碩、小米、索尼（SONY）、ＬＧ等手機品牌廠最高階旗艦機種的首選，就進度來看，驍龍830應該于第四季陸續(xù)向客戶端送樣，以便趕上明年第一波新機上市。

只不過，截至目前為止，取得高通驍龍830樣品的手機客戶端家數(shù)仍少，因此市場傳出驍龍830進度可能延誤。因為送樣數(shù)量仍少，外界曝光的高通的驍龍830芯片資訊也不多，目前僅知搭配了4ＧＢ內(nèi)存記憶體和高達64ＧＢ的ＵＦＳ快閃記憶體。

由于驍龍830是由三星以十納米制程生產(chǎn)，在進度不順的情況下，市場傳出，高通可能會將后續(xù)訂單轉(zhuǎn)至臺積電生產(chǎn)，比外界預期七納米才會轉(zhuǎn)回臺積電的進度再早一點。

法人認為，若高通高階旗艦芯片訂單轉(zhuǎn)回由臺積電生產(chǎn)，將使得臺積電明年新增一家重量級十納米客戶，有利于明年的營運動能。

　　宣布10nm量產(chǎn)，官方辟謠？

據(jù)韓國媒體報道，三星電子在今天宣布10納米制程工藝芯片將正式投入量產(chǎn)。這也讓三星成為首家生產(chǎn)10納米制程工藝芯片的廠家。在公告中三星還提到，明年年初他們會正式發(fā)布一款10納米制程工藝芯片，不過這款芯片的具體信息還未被提及。

力拼蘋果！三星宣布10nm芯片投入量產(chǎn)

電子時報本月初的時候曾報道過，三星將是高通驍龍830芯片的獨家代工商，這款芯片將會采用10納米工藝制造。而明年三星推出的Galaxy S8，預計也將會搭載驍龍830芯片。

去年11月底的時候，三星在一次展會上率先曝光了自家研發(fā)的10nm工藝晶圓，這也是當時產(chǎn)業(yè)界首次秀出10nm工藝。這也表明三星在進度上將直接領(lǐng)先于像臺積電這樣的競爭對手或芯片巨頭英特爾。未來三星很有希望成為世界首個使用10nm工藝生產(chǎn)芯片的廠商。

與此同時，蘋果的下一代圖形處理單元A10X有可能會上馬臺積電的10nm工藝制程（A9X、A10都是基于16nm FinFET +工藝制程），之前爆料大神郭明池曾暗示，A10之后的處理器將由臺積電獨家生產(chǎn)。從A10的架構(gòu)設(shè)計看，A10X極有可能延續(xù)四核設(shè)計，其性能和功耗上將會比上代產(chǎn)品有一定提升。蘋果iPhone 7 A10 Fusion處理器首次使用了四核心設(shè)計，而且是兩大兩小的混合架構(gòu)體系。

臺積電和Intel的10nm還有多久？

在今年七月舉行的股東會議上，TSMC兩大聯(lián)席CEO劉德音、魏哲家及CFO何麗梅出席了會議，公布了TSMC公司Q2季度運營及技術(shù)發(fā)展情況，該公司調(diào)高了今年的資本支出到95-105億美元，高于Intel公司的90-100億美元，顯示對未來發(fā)展的看好。

他們表示，其10nm工藝已經(jīng)有三個客戶完成流片，雖然沒公布客戶名稱，但用得起10nm工藝的芯片也就是蘋果A10、聯(lián)發(fā)科X30（被海思、展訊刺激的聯(lián)發(fā)科在X30上爆發(fā)了）以及海思新一代麒麟處理器，流片的估計就是這三家了。

TSMC表示今年底之前還會有更多客戶的10nm芯片流片，該工藝將在2017年Q1季度量產(chǎn)。

而Intel也在今年8月份的的IDF大會上透露，他們將會提供“10nm技術(shù)的關(guān)鍵創(chuàng)新亮點”。

不過，Intel對其余內(nèi)容含糊其辭，沒有談論任何10nm芯片晶體管密度和相關(guān)成本的技術(shù)細節(jié)。

當然了，每當談及新的工藝，Intel總是會提到芯片晶體管的密度和面積比例，包括通過新的技術(shù)能夠達到何種高度，以及晶體管本身的主要結(jié)構(gòu)和材料改進等等。

其實在各項投資者會議上，Intel總是有意拿工藝來說事，不是14nm就是10nm，并且總是評估來自不同制造商的技術(shù)競爭力如何。

IDF大會上Intel可能也會再次談論一番，并提供技術(shù)線路規(guī)劃方案，畢竟目前Intel的最大競爭對手是臺積電，此前已經(jīng)計劃在今年投產(chǎn)10nm技術(shù)，號稱明年年初就能過渡到7nm制程。

相比之下，Intel今年已經(jīng)宣布與10nm技術(shù)無緣了，只有等到明年下半年才會生產(chǎn)。與此同時，其7nm工藝的量產(chǎn)可能還要等到10nm亮相三年之后。

如此來看，Intel顯然是“落后”了，但Intel肯定不贊同量產(chǎn)就最先進的說法，而是更多的涉及底層技術(shù)。

英特爾：7nm才是對戰(zhàn)關(guān)鍵

半導體巨頭間的先進制程競賽持續(xù)，然而，昔日的老大哥英特爾在14 納米推進晚了半年，打亂了原本摩爾定律每隔兩年推出新制程的規(guī)律，10 納米制程也幾乎注定遭臺積電超車，不過，英特爾財務長Stacy Smith 在本周摩根士丹利2016 年技術(shù)會議中強調(diào)，7 納米才是技術(shù)變革的重要節(jié)點，并矢言屆時英特爾將重回摩爾定律！

英特爾10 納米確認延遲到2017 年下半，而臺積電10 納米制程進度估計2016 年第一季設(shè)計定案（tape out）、第三季量產(chǎn)，若如期依照制程規(guī)劃推進，臺積電將超車英特爾。

不過，英特爾可沒有認輸?shù)囊馑?，在年初摩根士丹利舉辦的技術(shù)會議（Morgan Stanley Technology, Media and Telecom Conference 2016 ）英特爾財務長Stacy Smith指出，雖然在14納米與接下來的10納米制程，研發(fā)速度都較摩爾定律延遲半年，但Stacy Smith強調(diào)，7納米時技術(shù)將有重大突破，英特爾預期在7納米重回摩爾定律兩年的制程轉(zhuǎn)換周期。

Stacy Smith透露，英特爾在14納米使用多重曝光微影（multiple patterning）技術(shù)已遇到瓶頸，向下難以再縮小芯片線寬，外界認為英特爾在7納米將采用極光微影技術(shù)（Extreme Ultraviolet， EUV），但是否在10納米就提前用上，Stacy Smith僅低調(diào)表示目前沒有規(guī)劃。而英特爾也試圖用氮化鎵（Gallium Nitride）等新材料取代矽，使芯片有更好的導電與處理效果。

一直以來，英特爾不只為摩爾定律（Moore's Law）的提出者，同時也是遵循者，依循摩爾定律芯片上的晶體管數(shù)量每18 個月增加一倍，性能也隨之提升一倍的速度發(fā)展，并衍伸出「Tick-Tock 」鐘擺策略做為產(chǎn)品推出的圭臬，兩年一循環(huán)，一年推出「Tick 滴」發(fā)表新制程產(chǎn)品，再一年為「Tock 答」 在Tick 的基礎(chǔ)上做架構(gòu)更新，然而，這樣的公式，在14 納米被打破。

英特爾延遲半年，才在2014 年9 月發(fā)表第一顆14 納米Broadwell 產(chǎn)品，在2015 年基于14 納米制程推出Skylake 架構(gòu)處理器產(chǎn)品后，再來理應推出10 納米產(chǎn)品，然而，英特爾CEO 科再奇（Brian Krzanich）在2015 年7 月電話會議中宣布，2017 年要推出第三款14 納米處理器Kaby Lake，原定的10 納米產(chǎn)品Cannolake 確定延至2017 年下半，臺積電及三星則分別預期在2016 年第三與第四季量產(chǎn)10 納米，英特爾幾乎注定在10 納米之戰(zhàn)中敗下陣來，7 納米能否大反攻，重返昔日榮光，就待時間證明。