2016年半導(dǎo)體的主流工藝是14/16nm FinFET工藝,主要有Intel、TSMC及三星/GlobalFoundries(格羅方德)三大陣營,下一個(gè)節(jié)點(diǎn)是10nm,三方都會(huì)在明年量產(chǎn),不過10nm主要針對(duì)低功耗移動(dòng)芯片,下下個(gè)節(jié)點(diǎn)7nm才是高性能工藝,是首次突破10nm極限,也是三方爭搶的重點(diǎn),TSMC及三星都準(zhǔn)備搶首發(fā)。不過此前缺席了的GlobalFoundries公司這一次殺回來了,誓言在7nm節(jié)點(diǎn)領(lǐng)先。
在7nm節(jié)點(diǎn)上,Intel表態(tài)很謹(jǐn)慎,14nm及10nm工藝都要戰(zhàn)三代,7nm工藝要等到2020年了,但是TSMC和三星就激進(jìn)多了,三星前不久巨資購入了EUV光刻機(jī),希望在明年開始試產(chǎn)7nm工藝,TSMC公司也不甘落后,聯(lián)合CEO劉德音日前表態(tài)稱7nm工藝的SRAM良率已達(dá)30-40%,將是業(yè)界首家通過7nm工藝認(rèn)證的半導(dǎo)體公司。
在這三家公司之外,還有一家公司不容忽視——從AMD半導(dǎo)體業(yè)務(wù)剝離出來的GlobalFoundries(格羅方德)公司,雖然被稱為AMD的GF,但他們現(xiàn)在已經(jīng)跟AMD沒多大關(guān)系了,AMD的股份已經(jīng)全都出手了,雙方現(xiàn)在更像是一般的代工合作伙伴關(guān)系。
GlobalFoundries此前在半導(dǎo)體工藝上走的磕磕絆絆,但在14nm節(jié)點(diǎn)果斷放棄自研工藝轉(zhuǎn)而選擇了三星14nm FinFET授權(quán),現(xiàn)在已經(jīng)走上正規(guī)了,不過他們顯然不會(huì)甘心于此,2014年收購了IBM公司的晶圓廠業(yè)務(wù)——他們沒花錢,反倒是IBM補(bǔ)貼了15億美元。
GlobalFoundries在這次收購中獲得了大量有經(jīng)驗(yàn)的員工,這對(duì)推動(dòng)新工藝研發(fā)很有幫助。去年7月份,GlobalFoundries聯(lián)合IBM、三星及紐約州立大學(xué)率先推出了7nm工藝,他們也要在新一代工藝上保持領(lǐng)先了。
日前GlobalFoundries公司CTO。高級(jí)副總Gary Patton透露了他們的7nm工藝進(jìn)展,表示已經(jīng)激進(jìn)地縮減了新工藝的柵極間距(pitch,衡量工藝水平的關(guān)鍵指標(biāo)之一,數(shù)值越小越好)。
Patton表示他們?cè)诩~約州馬耳他市的晶圓廠正在量產(chǎn)14nm工藝,這為他們開發(fā)更先進(jìn)的工藝奠定了基礎(chǔ)。
對(duì)于7nm,Patton聲稱即便沒有EUV工藝,他們的新工藝也能降低晶圓成本。
按照Patton的預(yù)計(jì),EUV工藝預(yù)計(jì)會(huì)在2020年量產(chǎn),2018/2019年可能會(huì)少量生產(chǎn)。