英特爾小心!臺積電10納米已追近

責(zé)任編輯:editor006

2014-10-08 15:11:23

摘自:工商時報

摩根大通證券6日指出,10奈米制程才是晶圓代工廠商真正的決勝戰(zhàn)場,由于臺積電擁有25%至30%的晶圓成本優(yōu)勢,預(yù)期將縮小與英特爾之間差距,由過去兩者相差4至6季,大幅拉近到2季。

摩根大通證券6日指出,10奈米制程才是晶圓代工廠商真正的決勝戰(zhàn)場,由于臺積電擁有25%至30%的晶圓成本優(yōu)勢,預(yù)期將縮小與英特爾之間差距,由過去兩者相差4至6季,大幅拉近到2季。

受到外資圈傳出臺積電近期已針對蘋果明年第三季初產(chǎn)品需求,布建16奈米FinFET產(chǎn)能設(shè)備訂單的消息激勵,第二季法說以來幾乎把臺積電當(dāng)成提款機(jī)的國際機(jī)構(gòu)投資人,昨天回頭買超9,669張居首位,帶動股價上漲1.2%、收126元。

目前外資圈對臺積電最為關(guān)切的議題,除了明年16奈米與三星14奈米的初期市占率之爭,應(yīng)就是后續(xù)英特爾、臺積電、三星互別苗頭的10奈米。

針對臺積電在28奈米以下高階制程的競爭態(tài)勢,摩根大通證券認(rèn)為,臺積電可望繼續(xù)維持28與20奈米龍頭地位;14/16奈米明年由三星領(lǐng)先,但后年臺積電可拿回領(lǐng)先地位;至于被視為關(guān)鍵領(lǐng)域的10奈米,臺積電則可拉近與英特爾之間差距。

摩根大通證券半導(dǎo)體分析師哈戈谷(Gokul Hariharan)表示,臺積電在10納米制程的電晶體面積微縮技術(shù)已追上英特爾,是雙方在10奈米制程技術(shù)差距逐漸接近的最大關(guān)鍵,預(yù)估臺積電僅落后給英特爾10%、遠(yuǎn)小于外界認(rèn)為英特爾仍領(lǐng)先45%。

哈戈谷指出,臺積電在10奈米的每單位電晶體將有成本優(yōu)勢,有利于爭取客戶訂單。