東芝停電 如何在0.07秒毀掉閃存芯片

責(zé)任編輯:ZaneXu

2010-12-14 13:07:34

摘自:小熊在線

NAND Flash大廠日本東芝12月8日位于日本四日市的4座晶圓廠出現(xiàn)短暫0.07秒的跳電狀況,導(dǎo)致4座晶圓廠停工將近2天,雖然晶圓廠內(nèi)都有安裝UPS不間斷電源系統(tǒng),以防止這種突然跳電或...

從東芝跳電事件說起

NAND Flash大廠日本東芝12月8日位于日本四日市的4座晶圓廠出現(xiàn)短暫0.07秒的跳電狀況,導(dǎo)致4座晶圓廠停工將近2天,雖然晶圓廠內(nèi)都有安裝UPS不間斷電源系統(tǒng),以防止這種突然跳電或是因地震引起的電流不穩(wěn)狀況,但東芝這次的電壓不穩(wěn)事件,似乎比預(yù)期嚴(yán)重,因此應(yīng)急供電支持系統(tǒng)并未派上用場(chǎng),加上重新檢查機(jī)器設(shè)備,導(dǎo)致晶圓廠需要全數(shù)停擺才能在啟動(dòng)開工。

東芝預(yù)估這次停電會(huì)影響未來2個(gè)月,即20(網(wǎng)購最低價(jià) 1748元)11年1、2月份的NAND Flash產(chǎn)出,影響程度約10至20%,以目前東芝全球NAND Flash市占率約35%來計(jì)算推估,這次跳電事件影響全球產(chǎn)能約3.5至7%,以東芝1至3月閃存事業(yè)營收約1700億日?qǐng)A來計(jì),若出貨減少約20%,單月營收損失約達(dá)100(網(wǎng)購最低價(jià) 3488元)億日?qǐng)A。

東芝停電 如何在0.07秒毀掉閃存芯片

NAND Flash消耗量最大的應(yīng)用過去是快閃記憶卡、閃盤、手機(jī)、MP3播放器等,2010年開始被智能手機(jī)取代,大量的內(nèi)嵌式內(nèi)存需求吃掉主要的NAND Flash產(chǎn)能,2011年最被看好的應(yīng)用除了手機(jī)的內(nèi)嵌式內(nèi)存持續(xù)發(fā)燒外,還有平板計(jì)算機(jī)和固態(tài)硬盤等應(yīng)用。

由于東芝是多家品牌系統(tǒng)大廠的主力NAND Flash供貨商,包括蘋果等,彼此都簽定長期供或合約,加上現(xiàn)在各家系統(tǒng)大廠都陸續(xù)推出新款的平板計(jì)算機(jī),要迎戰(zhàn)頻果的iPad(報(bào)價(jià) 參數(shù) 評(píng)測(cè) 圖庫),東芝在此時(shí)發(fā)生停電事件是否會(huì)影響到客戶的供貨量,市場(chǎng)相當(dāng)關(guān)注。此時(shí)發(fā)生跳電狀況,是時(shí)機(jī)最不佳的時(shí)候。

東芝停電 如何在0.07秒毀掉閃存芯片

日前受到此事件影響,部分通路商已開始進(jìn)入現(xiàn)貨市場(chǎng)搶短線商機(jī),導(dǎo)致NAND Flash現(xiàn)貨報(bào)價(jià)開始止跌反彈,主流規(guī)格的16Gb至32Gb容量的芯片單日上漲3至4%,市場(chǎng)認(rèn)為后續(xù)效應(yīng)需要再觀察。

虧大了:產(chǎn)能影響可能有20%

業(yè)界有消息透露這次掉電,影響面頗大,普遍使用于智能手機(jī)、平板計(jì)算機(jī)及數(shù)碼音樂播放器的NAND價(jià)格將因此跟漲。東芝表示,這次的跳電事件可能影響未來2個(gè)月的產(chǎn)能,減少20%的產(chǎn)出。東芝與SanDisk合資生產(chǎn),總產(chǎn)出約占市場(chǎng)產(chǎn)能的3分之1,出貨量僅次于排名全球第1的三星電子。接下來幾個(gè)月,全球的閃存市場(chǎng)的供給將受到明顯沖擊。不過,閃存消耗特別多的蘋果跟多家供應(yīng)商都簽有長期供應(yīng)合約。

東芝停電 如何在0.07秒毀掉閃存芯片

日本中部電力(Chubu Electric Power)表示,供電不穩(wěn)是從2010年12月8號(hào)早上開始,當(dāng)時(shí)供電的電壓突然間下降,造成東芝在四日市的廠房出現(xiàn)0.07秒的斷電。雖然斷電時(shí)間十分短暫,但因?yàn)樯a(chǎn)線復(fù)雜的機(jī)械設(shè)定,其實(shí)還是會(huì)造成很大的影響,就像突然拔掉計(jì)算機(jī)主電源插頭一樣。

基于這個(gè)原因,許多芯片廠都會(huì)特別注意預(yù)防措施,包括安裝不斷電系統(tǒng)。東芝發(fā)言人表示,這次四日市廠房的不斷電系統(tǒng)沒有發(fā)揮應(yīng)有的功效,是因?yàn)橹袛嗟碾娏σ呀?jīng)超過系統(tǒng)的負(fù)荷值了。

芯片制程中發(fā)生跳電事件,通常會(huì)傷及硅晶圓片,一般而言,硅晶圓的制程需時(shí)約8至12周。制程中間若出現(xiàn)斷電,硅晶圓片通常都會(huì)毀壞,只有儲(chǔ)存中及在不同機(jī)械間轉(zhuǎn)移的晶圓片可以逃過跳電一劫。偶爾出現(xiàn)空氣清凈機(jī)或空調(diào)系統(tǒng)跳電問題則有可能污染需維持無塵環(huán)境的晶圓。晶圓廠跳電就象是手術(shù)中途人工心臟斷電一樣,結(jié)果就是病人命都丟了。

東芝停電 如何在0.07秒毀掉閃存芯片

根據(jù)東芝的估計(jì),這次跳電事件對(duì)產(chǎn)能造成的影響可能延續(xù)到2011年2月,出貨量最多可能少掉2成。按東芝的市占率來看,這次跳電可能讓受影響期間的NAND全球供給量驟減7.5%,不過,相對(duì)于2011年全年則比重會(huì)小許多,所以大概只會(huì)讓NAND存儲(chǔ)器短期價(jià)格大漲,這種事情過去就有前例。

唯一值得慶幸的是,1、2月的產(chǎn)能減少對(duì)于全年而言影響算是相對(duì)小的,應(yīng)該會(huì)減少缺貨的機(jī)會(huì)。不過,NAND的需求量最近增加速度相當(dāng)異常,因?yàn)橹悄苁謾C(jī)及平板計(jì)算機(jī)對(duì)其需求大增,2011年全球的NAND出貨量可能會(huì)成長70%。

回顧歷史:盡數(shù)內(nèi)存大廠停電紀(jì)錄

事實(shí)上,內(nèi)存工廠的停電事件屢見不鮮,過去都是韓系大廠為主,包括三星電子和海力士都發(fā)生多次跳電事件,這次則輪到了一項(xiàng)以嚴(yán)謹(jǐn)、精確、勤奮聞名的日系半導(dǎo)體大廠東芝的晶圓廠發(fā)生跳電導(dǎo)致停工。

東芝停電 如何在0.07秒毀掉閃存芯片

Macbook Air中的東芝固態(tài)硬盤

過去三星在2007年8月和2010年3月發(fā)生停電事件,其中2007年8月器興廠Fab13和Fab14發(fā)生的意外停電事件,長達(dá)21個(gè)小時(shí),其中受影響的生產(chǎn)現(xiàn)有5至6條,損失金額約400(網(wǎng)購最低價(jià) 278元)億至500(網(wǎng)購最低價(jià) 1262元)億韓元間。再者是2010年3月下旬南韓器興廠下午發(fā)生停電,僅持續(xù)約1小時(shí)左右,但因?yàn)橛蠻PS不間斷供電系統(tǒng)支持,三星這次停電的損失金額不到90億韓元。

海力士在2008年5月時(shí),大陸的無錫12寸晶圓廠也發(fā)生停電事件,持續(xù)約4個(gè)小時(shí),包含生產(chǎn)線停電導(dǎo)致芯片受損等成本,損失金額1,600萬至1,800萬美元。2010年4月海力士也再度傳出停電事件,但停電時(shí)間非常短,加上不斷電系統(tǒng)的緊急支持,并未造成損失。

這次輪到日廠東芝,NAND Flash生產(chǎn)線因?yàn)殡娏?yīng)不足,導(dǎo)致4座晶圓廠全部出現(xiàn)停電狀況。不過,東芝這次跳電事件令業(yè)界不解之處,在于晶圓廠是在8日上午發(fā)生跳電,真正停電時(shí)間相當(dāng)短暫僅有0.07秒,但晶圓廠一直要到10日才能完全復(fù)工,生產(chǎn)線停工時(shí)間幾乎有2天之久,相較于過去韓廠處理晶圓廠停電都是直接以不斷電系統(tǒng)接上,小編認(rèn)為可能是日廠作法過于謹(jǐn)慎之故。

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有人歡喜:NAND Flash市場(chǎng)大逆轉(zhuǎn)之契機(jī)

東芝8日發(fā)生跳電事件,但公司一直到9日才對(duì)外透露此事,NAND Flash報(bào)價(jià)僅出現(xiàn)小幅上漲,下游模塊廠對(duì)于這次停電事件態(tài)度亦異常平靜,認(rèn)為還需要進(jìn)一步觀察。在通路商方面,9日上午開始有部分大陸通路商進(jìn)場(chǎng)補(bǔ)貨,下午補(bǔ)貨力道又更積極,顯見通路商雖預(yù)期NAND Flash報(bào)價(jià)有上漲空間,但作法上相較于過去謹(jǐn)慎許多。

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東芝原廠SHHC閃存

東芝這次停電對(duì)產(chǎn)能所造成影響,預(yù)計(jì)會(huì)減少產(chǎn)能10至20%,主要將反應(yīng)在2011年第1季,由于東芝目前是全球第2大NAND Flash供貨商,全球市占率達(dá)35%,僅次于三星市占率40%,雖然這次停電對(duì)于全球NAND Flash市場(chǎng)產(chǎn)能影響約3.5至7.0%,但以內(nèi)存報(bào)價(jià)高度敏感特性,可能足以逆轉(zhuǎn)2011年第1季市場(chǎng)供需。

其實(shí)業(yè)界相當(dāng)看好2011年第1季NAND Flash市況,預(yù)計(jì)不會(huì)如往年般處于傳統(tǒng)淡季,由于各大系統(tǒng)品牌廠紛力推平板計(jì)算機(jī),且都是內(nèi)建NAND Flash或是固態(tài)硬盤,這塊市場(chǎng)對(duì)于NAND Flash產(chǎn)能需求將快速成長,未來2年消耗量相當(dāng)可觀。如今又發(fā)現(xiàn)東芝跳電事件,是否能幫助沈寂已逾1年的NAND Flash產(chǎn)業(yè)脫離谷底,將受到下游模塊廠高度關(guān)注。

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防偽標(biāo)識(shí),質(zhì)保5年

展望2011年第1季NAND Flash市場(chǎng),若平板計(jì)算機(jī)拉抬效應(yīng)如預(yù)期顯現(xiàn),加上東芝跳電造成產(chǎn)能缺口,預(yù)計(jì)價(jià)格有機(jī)會(huì)出現(xiàn)反彈,直接受惠者包括金士頓、群聯(lián)、創(chuàng)見、威剛、勁永、宇瞻等。群聯(lián)便表示,東芝已承諾2011年第1季貨源絕不會(huì)受到跳電事件影響而減少。

東芝停電 閃存漲價(jià) 通路補(bǔ)貨

東芝停工2天,使得NAND Flash現(xiàn)貨報(bào)價(jià)開始止跌反彈,受到下游通路商進(jìn)場(chǎng)補(bǔ)貨激勵(lì),16至32Gb容量芯片單日上漲3至4%,有機(jī)會(huì)讓NAND Flash價(jià)格暫時(shí)回穩(wěn),并銜接2011年大陸農(nóng)歷春節(jié)前補(bǔ)貨潮。

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東芝的SSD控制器方案Toshiba T6UG1XBG

受此事件影響,NAND Flash現(xiàn)貨價(jià)開始止跌反彈,主流16至32Gb容量芯片單日上漲3至4%,報(bào)價(jià)分別為4.26及5.18美元,低容量8Gb芯片和高容量64Gb芯片亦小幅彈升。內(nèi)存廠認(rèn)為,由于通路商開始進(jìn)場(chǎng)補(bǔ)貨,推升價(jià)格上漲,原本進(jìn)入12月傳統(tǒng)淡季,但跳電事件導(dǎo)致未來2個(gè)月供貨量減少,有助于NAND Flash價(jià)格暫回穩(wěn),廠商期望能連接2011年大陸農(nóng)歷春節(jié)前補(bǔ)貨潮,讓很久沒表現(xiàn)的NAND Flash市場(chǎng)加溫。

此外,由于內(nèi)存模塊廠12月營收大多呈現(xiàn)下滑趨勢(shì),這一波NAND Flash報(bào)價(jià)上揚(yáng),有助于縮小模塊廠12月營收下滑幅度。內(nèi)存下游廠認(rèn)為,平板計(jì)算機(jī)已成為最熱門產(chǎn)品之一,各大品牌廠陸續(xù)推出新款平板計(jì)算機(jī)機(jī)種,消費(fèi)者接受度亦升溫,有助于刺激NAND Flash使用量。

過去NAND Flash使用量最大宗是快閃記憶卡、閃盤和MP3播放器等,2010年開始轉(zhuǎn)往智能手機(jī),以內(nèi)嵌式內(nèi)存eMMC為主流,對(duì)于NAND Flash產(chǎn)能消化相當(dāng)可觀,但此部分訂單都是直接下至三星、東芝、美光等大廠。

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采用東芝方案的金士頓的SSD Now V+固態(tài)硬盤

東芝工廠布局調(diào)整

停電時(shí)間爆發(fā)之前,東芝就透露在2010年12月底,關(guān)閉日本三重縣四日市的Fab 2,將NAND Flash生產(chǎn)資源都投入2011年開始營運(yùn)的Fab 5,并計(jì)劃在2011年開始將系統(tǒng)LSI芯片業(yè)務(wù)委外代工。不過內(nèi)存廠商表示,由于Fab 2是8英寸晶圓廠,這2年貢獻(xiàn)NAND Flash產(chǎn)能比重已相當(dāng)少,東芝都將重心放在12英寸晶圓廠身上,因此Fab 2的關(guān)閉并不會(huì)影響NAND Flash市場(chǎng)供需,反而是要提防三星電子和東芝2011年都擴(kuò)產(chǎn)NAND Flash產(chǎn)能,要看應(yīng)用端需求能否銜接上來。

東芝停電 如何在0.07秒毀掉閃存芯片

 

東芝目前旗下有4座晶圓廠,F(xiàn)ab 1和Fab 2是8英寸晶圓廠,F(xiàn)ab 3和Fab 4是12英寸晶圓廠,2010年東芝決定興建Fab 5,同樣也是12英寸晶圓廠。Fab 1和Fab 2由于是8英寸晶圓廠,貢獻(xiàn)NAND Flash產(chǎn)能比重已不大,F(xiàn)ab 3和Fab 4目前單月產(chǎn)能各約15萬片,是東芝和合作伙伴SanDisk在NAND Flash產(chǎn)能上最重要的生產(chǎn)基地。

東芝半導(dǎo)體事業(yè)的子公司社長小林清志接受外電專訪時(shí)表示,將關(guān)閉旗下4座晶圓廠中的Fab 2,預(yù)計(jì)2010年12月底前會(huì)停止?fàn)I運(yùn),未來生產(chǎn)資源將會(huì)放在較新的廠房Fab 4,以及2010年興建、2011年即將完工的Fab 5。

Fab 2是老舊的8英寸晶圓廠,但此座廠房仍在生產(chǎn)NAND Flash芯片,但隨著東芝12英寸晶圓廠量產(chǎn)上軌道,F(xiàn)ab 2這2年對(duì)NAND Flash產(chǎn)能比重已相當(dāng)少,不認(rèn)為此座晶圓廠的關(guān)閉有助于逆轉(zhuǎn)NAND Flash市場(chǎng)供需。

目前全球NAND Flash市占率中,三星的市占率有再度重回40%大關(guān)的希望,東芝則緊跟在后,2者相距不到5個(gè)百分點(diǎn);追在后面的美光、海力士、英特爾等,市占率都不足以撼動(dòng)NAND Flash雙雄,目前在NAND Flash產(chǎn)業(yè)中,顯而易見的是三星與東芝間的殊死戰(zhàn)。

三星預(yù)計(jì)于2011年初完工的華城廠16產(chǎn)線將優(yōu)先生產(chǎn)NAND Flash芯片,而東芝和SanDisk合資的Fab 5過去因?yàn)榻鹑陲L(fēng)暴而暫緩擴(kuò)產(chǎn),今年好不容宣布要回復(fù)興建,預(yù)計(jì)明年投入量產(chǎn),在2大NAND Flash廠都有新廠房要加入戰(zhàn)局的情況下,2011年NAND Flash市場(chǎng)會(huì)相當(dāng)熱鬧。

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