在西部數(shù)據(jù)的人工智能移動化展區(qū)，我們也看到了其著重展示的這款西部數(shù)據(jù)最新發(fā)布的iNAND MC EU321嵌入式閃存盤。該產(chǎn)品采用先進(jìn)的UFS 2.1接口以及西部數(shù)據(jù)公司iNAND SmartSLC 5.1架構(gòu)，確保設(shè)備使用存儲容量接近98%時(shí)，EU321同樣可以保持巔峰的寫入性能，基于SLC緩沖區(qū)和TLC存儲區(qū)在SmartSLC Gen 5.1架構(gòu)下順序?qū)懭胨俣葹?50MB/s，隨機(jī)IOPS寫速度達(dá)到52K，其性能適用于高端旗艦手機(jī)機(jī)型，容量從32GB到256GB。96層3D NAND UFS2.1嵌入式閃存盤的核心技術(shù)改進(jìn)了數(shù)據(jù)碎片收集和整理，相較于傳統(tǒng)架構(gòu)速度優(yōu)勢非常明顯。

據(jù)展區(qū)現(xiàn)場的工作人員介紹，iNAND MC EU321的厲害之處主要還是集中在iNAND SmartSLC 5.1緩存架構(gòu)上，西數(shù)通過在TLC和內(nèi)存數(shù)據(jù)操作之間設(shè)置一個(gè)SLC buffer層，通過SLC的緩沖達(dá)到非常高的爆發(fā)式訪問性能，數(shù)據(jù)緩存下來之后，通過西數(shù)在固件中寫好的算法機(jī)制，閃存會自動對TLC的數(shù)據(jù)塊進(jìn)行整理，在減少碎片化的同時(shí)把SLC緩存里的數(shù)據(jù)寫入到TLC里。與此同時(shí)，因?yàn)橛羞@樣一個(gè)SLC緩存架構(gòu)存在，西部數(shù)據(jù)的NAND閃存盤更不容易出現(xiàn)那種固態(tài)存儲比較容易出現(xiàn)的滿寫性能急劇滑坡。一般來說，閃存往往在寫滿80%~90%的時(shí)候順序?qū)懭胄阅芫蜁l(fā)生斷崖式下降，甚至可能會比正常情況下下降超過一半多，而iNAND MC EU321則到98%寫滿的時(shí)候才會出現(xiàn)大概20%的性能損耗。

隨著智能手機(jī)、平板電腦、個(gè)人電腦以及物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備支持全新的應(yīng)用程序和服務(wù)，消費(fèi)者與家人、朋友及周圍世界的溝通方式正在發(fā)生改變。多鏡頭高分辨率相機(jī)、人工智能、增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)和虛擬現(xiàn)實(shí)、機(jī)器學(xué)習(xí)以及深度學(xué)習(xí)都離不開高速且低延遲的數(shù)據(jù)訪問。西部數(shù)據(jù)公司為設(shè)備制造商、芯片組生產(chǎn)商以及整個(gè)移動生態(tài)系統(tǒng)提供支持，幫助他們打造優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品和服務(wù)，為移動用戶提供身臨其境的全新體驗(yàn)。西部數(shù)據(jù)公司推出的iNAND 嵌入式閃存驅(qū)動器(EFD)擁有豐富的產(chǎn)品種類，可幫助OEM應(yīng)對高低不同層次的市場需求。西部數(shù)據(jù)公司支持最新的UFS工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)接口，便于OEM和應(yīng)用程序開發(fā)人員進(jìn)行相應(yīng)的設(shè)計(jì)并打造頂級體驗(yàn)。此外，iNAND業(yè)界領(lǐng)先的寫入速度可滿足高分辨率攝影和視頻的需求。

此次，西部數(shù)據(jù)除了展示iNAND MC EU321嵌入式閃存盤外，也展示了其他幾款產(chǎn)品。iNAND MC EU311a集成UFS 2.1接口，可支持需要出色讀/寫性能的應(yīng)用，如多鏡頭高分辨率相機(jī)、慢動作視頻、增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)和虛擬現(xiàn)實(shí)、人工智能、機(jī)器學(xué)習(xí)以及深度學(xué)習(xí)。第五代SmartSLC技術(shù)能夠?yàn)閿?shù)據(jù)密集型高端和旗艦移動設(shè)備提供超強(qiáng)寫性能，打造出色移動體驗(yàn)。

iNAND MC EM131b 集成第四代 SmartSLC 技術(shù)，并經(jīng)過優(yōu)化，性能超強(qiáng)，持久耐用。集成式e.MMC接口可用于中高端智能手機(jī)以及二合一、可拆卸式輕薄計(jì)算設(shè)備，進(jìn)行照片和視頻拍攝、游戲和快速文件傳輸。 iNAND® CL EM122c是一款商業(yè)級e.MMC 閃存驅(qū)動器，非常適合工業(yè)應(yīng)用，在各種工作環(huán)境下均可靠耐用。 iNAND® MC EM111d 集成第二代 SmartSLC 技術(shù)，通過提升順序?qū)懭胨俣葋砥交赜涗?K和UHD視頻。

NAND閃存容量將在2017-2021迎來健康的28%復(fù)合年增長率。這個(gè)增長主要來自成熟的平板用戶升級到大屏、高容量、并具有更強(qiáng)大功能和連接性的產(chǎn)品，西部數(shù)據(jù)作為全球全球領(lǐng)先的數(shù)據(jù)與科技廠商離數(shù)據(jù)更近，也更了解數(shù)據(jù)可以帶給用戶多大的商業(yè)價(jià)值，并積極主動地進(jìn)行戰(zhàn)略和技術(shù)部署，與行業(yè)用戶一同努力進(jìn)行技術(shù)研發(fā)提供行業(yè)中最佳的解決方案。

無論是人工智能、邊緣計(jì)算、企業(yè)級云計(jì)算或是智慧城市，每天都會產(chǎn)生海量的數(shù)據(jù)，特別是現(xiàn)在數(shù)字信息化、智能化發(fā)展的大背景下，為用戶充分釋放數(shù)據(jù)價(jià)值驅(qū)動行業(yè)應(yīng)用，是西部數(shù)據(jù)存儲變革的重中之重。正如西部數(shù)據(jù)所言“推動數(shù)據(jù)繁榮，締造輝煌成就”一樣，未來，西部數(shù)據(jù)將繼續(xù)努力，為行業(yè)與專業(yè)領(lǐng)域用戶提供幫助，開創(chuàng)全新智慧未來。